分子性傾斜配向を有する光伝導性液晶材料の光電特性
分子性傾斜配向を有する光伝導性液晶材料の光電特性
批准号:
09229223
负责人:
半那 純一
金额:
$0.96万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1997
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1997 至 --
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光伝導性液晶を用いた分子性傾斜配を実現しその光電特性を明らかにするため、(1)スメクティック系光伝導液晶を用いた水平及び垂直配向基板の組み合わせによる傾斜配向セルの実現、(2)ネマティック系光伝導性液晶を開発しこれを用いた電場配向の実現について検討し、作製したセルの光伝導特性を定常暗光電流特性、過渡光電流測定から評価した。(1)水平及び垂直配向基板の組み合わせによる傾斜配向セルの特性鎖シリル化剤(Triethoxydecysilane(TEDS))で処理したAl基板と未処理のAl基板の組み合わにより作製したセルにスメクティク光伝導性液晶2-(4′-Pentylphenyl)-6-dodecyloxynaphthaleneを封入したセルでは、定常電流および過渡光電流のいずれの測定においても光照射、印加電圧の方向によらず光電流特性に違いが見られなかった。垂直配向セルおよび未処理基板を用いた水平配向セルでは2桁以上に及ぶ大きな光電流の違いが認められること、偏光顕微鏡下でのセルの観察結果から、作製したセルでは傾斜配向が実現されていないものと結論された。(2)ネマティック系光伝導性液晶の電場配向による傾斜配向セル新たに開発したネマティック光伝導性液晶、2-(4′-Pentylphenyl)-6-methoxynaphthaleneを用いた液晶セルでは、電場により明らかに傾斜配向が実現されていることが確認できた。しかしながら、その配向の変化に関らず、いずれの電流特性の評価からも傾斜配向から期待される光電特性の地が違いは見出されなかった。これは、この液晶における伝導がイオン伝導によるためであると考えられた。
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M Funahashima ほか: "Fast Ambipolar Carrier Transport in Smectic Phases of Phenylnaphthalene Liquid Crystal" Crystal, Appl.Phys.Lett.71. 602-604 (1997)
M Funahashima 等人:“苯基萘液晶近晶相中的快速双极性载流子传输”,Crystal,Appl.Phys.Lett.71 (1997)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M.Funahashi ほか: "First Electronic Conduction with High Hole Mobility in Smectic A Phase of A Calamitic Liquid Crystal" Mol. Cryst. Liq. Cryst.304,[5]. 429-434 (1997)
M.Funahashi 等人:“近晶 A 相中的首次电子传导”Cryst.304,[5]。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
M Funahashima ほか: "Fast Hole Transport in a Calamitric Liquid Crystal of 2-(4′-Heptyloxyphenyl)-6-dodecyllthiobenzothiazole" Phys.Rev.Lett.78. 2184-2186 (1997)
M Funahashima 等人:“2-(4-庚氧基苯基)-6-十二烷基硫代苯并噻唑的校准液晶中的快速空穴传输”Phys.Rev.Lett.78 (1997)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
半那純一: "光伝導性液晶ー新しい有機電子材料の可能性ー" 日本液晶学会誌「液晶」. 1. 33-44 (1997)
Junichi Hanna:“光电导液晶-新型有机电子材料的可能性”日本液晶学会杂志“Liquid Crystals”1. 33-44(1997)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
半那純一: "スメクチック液晶中の電荷輸送" Molecular Electronics and Bioelectronics. 8,[3]. 164-168 (1997)
Junichi Hanna:“近晶液晶中的电荷传输”《分子电子学和生物电子学》8,[3]。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
分子凝集相における電子・イオン伝導チャネルの形成と制御
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批准号:19017006
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.07万
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财政年份:2007
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负责人:半那 純一
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依托单位:
分子凝集層による電子・イオン伝導チャネルの形成と制御
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批准号:17041003
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.71万
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财政年份:2005
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负责人:半那 純一
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依托单位:
ナノ微粒子-液晶性有機半導体複合系材料の光電物性
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批准号:17029016
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.88万
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财政年份:2005
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负责人:半那 純一
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依托单位:
外場による高速の機能応答性を有する有機半導体材料の創製
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批准号:14655317
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:2002
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负责人:半那 純一
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依托单位:
Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
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批准号:11120213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:半那 純一
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依托单位:
Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
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批准号:10133212
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1998
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负责人:半那 純一
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依托单位:
分子傾斜配向を有する光伝導性液晶材料の光電特性
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批准号:10123209
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1998
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负责人:半那 純一
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依托单位:
Si,Ge化合物の酸化還元反応を利用する結晶質半導体薄膜の低温堆積
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批准号:09239213
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:半那 純一
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依托单位:
フッ素系反応性プラズマによる結晶質Si薄膜の低温成長
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批准号:04650260
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1992
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负责人:半那 純一
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依托单位:
自発的気相酸化反応を利用する半導体薄膜材料の作製
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批准号:04205042
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1992
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负责人:半那 純一
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依托单位:
自発的気相酸化反応を利用する半導体薄膜材料の作製
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批准号:03205040
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1991
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负责人:半那 純一
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依托单位:
自発的気相酸化反応を利用する半導体薄膜材料の作製
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批准号:02205043
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1990
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负责人:半那 純一
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依托单位:
弗素系Si膜の低温結晶化の基礎過程
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批准号:63550009
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1988
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负责人:半那 純一
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依托单位:
海外基金