Oberflächenglättung im Sub-Nanometer-RMS-Bereich durch (reaktives) Ionenstrahlätzen

在Einwirkung niederenperoberfläChen和Ionen Sowie die Optimierung osgewählter in Ionenstrahlätzprozesse is as zentale Anliegen dieses es Teilprojekts下，我们的基本思想是什么？为您提供更多的服务和更多的能量。Innerhalb der 1.Förderperide Standen Untersuhugen zur Entwicklog ie von verschiedenen III/V-Halbleitere von verschiedenen III/V-Halbletern，SiO_2(熔融硅石)和SiBem Ionenstrahlätzen im Mittelpenkt.Für alle Diese材料凝胶模具制备von Ultraglatten OberfläChen MIT Mittleren Rauigkeiten(RMS)Kleiner ALS 0.2 nm。(A)低热膨胀材料(“低热膨胀材料”)，材料的非晶态和非晶态；(C)测试材料的最佳性能；(B)测试材料的最佳性能。

Ein besseres Verständnis der Fundamentalprozesse bei der Toporaphieentwicklung von Festkörperoberflächen unter der Einwirkung niederenergetischer Ionen sowie die Optimierung ausgewählter Ionenstrahlätzprozesse ist das zentrale Anliegen dieses Teilprojekts. Die Arbeiten sollen insbesondere die Erschließung von niederenergetischen Ionenstrahlprozessen für die Glättung spezieller Materialoberflächen ermöglichen. Innerhalb der 1. Förderperiode standen Untersuchungen zur Entwicklung der Oberflächentopographie von verschiedenen III/V-Halbleitern, SiO2 (fused silica) und Si beim Ionenstrahlätzen im Mittelpunkt. Für alle diese Materialien gelang die Präparation von ultraglatten Oberflächen mit mittleren Rauigkeiten (rms) kleiner als 0.2 nm. Im Rahmen der beantragten 2. Förderphase konzentrieren sich die Arbeiten: (a) Untersuchungen zum Ionenstrahlätzen und -glätten von LTEM's ("low-thermal expansion materials"), SiC sowie auf Materialien gemäß der Erfordernisse der Teilprojekte 2, 4, 6, 7 und 8; (b) Vertiefung der Untersuchungen zu Topographieentwicklung beim Ionenstrahlätzen von Si und Quarz (Identifizierung der dominierenden Oberflächenrelaxationsprozesse, Vergleich von amorphem und einkristallinem Material); (c) Test und Optimierung der ionenstrahlgestützten Glättung unter Verwendung von Opferschichten und (d) Beiträge zum Aufbau einer universellen Anlage zur ionenstrahlgestützten Glättung mit und ohne Opferschichten.