Oberflächenglättung im Sub-Nanometer-RMS-Bereich durch (reaktives) Ionenstrahlätzen

通过（反应）离子束蚀刻实现亚纳米 RMS 范围内的表面平滑

• 批准号: 5212704
• 负责人: Dr. Frank Frost
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. (IOM)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2005-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5212704?language=en
• 关键词: Oberfl; chengl; ttung; im; Sub

Ein besseres Verständnis der Fundamentalprozesse bei der Toporaphieentwicklung von Festkörperoberflächen unter der Einwirkung niederenergetischer Ionen sowie die Optimierung ausgewählter Ionenstrahlätzprozesse ist das zentrale Anliegen dieses Teilprojekts. Die Arbeiten sollen insbesondere die Erschließung von niederenergetischen Ionenstrahlprozessen für die Glättung spezieller Materialoberflächen ermöglichen. Innerhalb der 1. Förderperiode standen Untersuchungen zur Entwicklung der Oberflächentopographie von verschiedenen III/V-Halbleitern, SiO2 (fused silica) und Si beim Ionenstrahlätzen im Mittelpunkt. Für alle diese Materialien gelang die Präparation von ultraglatten Oberflächen mit mittleren Rauigkeiten (rms) kleiner als 0.2 nm. Im Rahmen der beantragten 2. Förderphase konzentrieren sich die Arbeiten: (a) Untersuchungen zum Ionenstrahlätzen und -glätten von LTEM's ("low-thermal expansion materials"), SiC sowie auf Materialien gemäß der Erfordernisse der Teilprojekte 2, 4, 6, 7 und 8; (b) Vertiefung der Untersuchungen zu Topographieentwicklung beim Ionenstrahlätzen von Si und Quarz (Identifizierung der dominierenden Oberflächenrelaxationsprozesse, Vergleich von amorphem und einkristallinem Material); (c) Test und Optimierung der ionenstrahlgestützten Glättung unter Verwendung von Opferschichten und (d) Beiträge zum Aufbau einer universellen Anlage zur ionenstrahlgestützten Glättung mit und ohne Opferschichten.

Ein besseres Verständnis der Fundamentalprozesse bei der Toporaphieentwicklung von Festkörperoberflächen unter der Einquirkung niederenergetischer Ionen sowie die Optimierung ausgewählter Ionenstrahlätzprozesse ist das zentrale Anliegen dieses Teilprojekts. Die Arbeiten sollen insbesondere die Erschließung von niederenergetischen Ionenstrahlprozessen für die Glättung spezieller Materialoberflächen ermöglichen. Innerhalb der 1. Förderperiode standen Untersuchungen zur Entwicklung der Oberflächentopographie von verdedenen III/V-Halbleitern，SiO2（熔融石英）und Si beim Ionenstrahlätzen im Mittelpunkt. Für alle diese Materialien gelang die Preäparation von ultraglatten Oberflächen mit mittleren Rauigkeiten（rms）kleiner als 0.2 nm. 2.我是一个流浪汉Förderphase konzentrieren sich die Arbeiten：（a）Untersuchungen zum Ionenstrahlätzen und -glätten von LTEM's（“低热膨胀材料”），SiC sowie auf Materialien gemässen der Erfordernisse der Teilprojekte 2、4、6、7和8;（B）Si和石英电离辐射对地形的影响（Identifizierung der dominierenden Oberflächenrelaxationsprozesse，Vergleich von amorphem und einkristallinem Material）;（c）Test und Optimierung der ionenstrahlgestützten Glättung unter Verwendung von Opferschichten和（d）Beiträge zum Aufbau einer universellen Anlage zur ionenstrahlgestützten Glättung mit und ohne Opferschichten。