Entspiegelung von optischen Oberflächen für den VUV-Spektralbereich

Ziel des Teilprojektes is die Entwicklung eines Verfahrens，das die Herstellung nanostrukturierter antireflektierender Quarzglasoberflächen ermöglicht. Dabei soll die Nanostrukturierung der Quarzglasoberflächen vorrangig unter Verwendung selbstorganisierender Masken erfolgen.由于锑化镓的吸收问题，工人们还不能再忍受韦尔登了。平行线是一种替代方法，可用于SiO2的直接结构，并可用于Ar-离子辐射腐蚀。但是，这一研究韦尔登发现，波纹结构的表面特征和波纹结构的粗化也是影响波纹结构表面特征和粗化的重要机制。在对Kr和Kronen项目的深入研究中，我们对结构的有序性进行了分析，并通过对波纹的几何形状进行了分析，从而得出了波纹的几何形状。asymmetrische Ripple-Flanken，Flankenwinkel）zu nehmen.在第二次世界大战韦尔登阶段，这一点在结构上是显而易见的。

Ziel des Teilprojektes ist die Entwicklung eines Verfahrens, das die Herstellung nanostrukturierter antireflektierender Quarzglasoberflächen ermöglicht. Dabei soll die Nanostrukturierung der Quarzglasoberflächen vorrangig unter Verwendung selbstorganisierender Masken erfolgen. Bedingt durch Probleme bei der Abscheidung der GaSb- Maskenschichten konnten die Arbeiten dazu noch nicht abgeschlossen werden. Parallel dazu wurde ein alternativer Ansatz zur Direktstrukturierung von SiO2 mittels Ar- Ionenstrahlerosion untersucht. Durch diese Versuche konnte gezeigt werden, dass die Gradienten-Abhängigkeit der (lokalen) Erosionsrate der wichtigste Mechanismus bei der Ripple-Entwicklung auf diesen Oberflächen ist und im Wesentlichen auch für die Facettierung und das Coarsening der Ripple-Strukturen verantwortlich ist. Durch die geplante Untersuchungen zu Kr und Xe als Projektil-Ionen erwarten wir eine Verbesserung des Ordnungsgrades der Strukturen und erhalten zusätzlich, durch geeignete Wahl des Einfallswinkels, die Möglichkeit gezielt Einfluss auf die Form der Ripples (symmetrische bzw. asymmetrische Ripple-Flanken, Flankenwinkel) zu nehmen. Aus diesem Grund sollen beide Strukturierungsansätze in der zweiten Förderphase weiterverfolgt werden.