Entspiegelung von optischen Oberflächen für den VUV-Spektralbereich

VUV 光谱范围的光学表面抗反射涂层

• 批准号: 47735061
• 负责人: Dr. Frank Frost
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. (IOM)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2014-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/47735061?language=en
• 关键词: Entspiegelung; von; optischen; Oberfl; chen

Ziel des Teilprojektes ist die Entwicklung eines Verfahrens, das die Herstellung nanostrukturierter antireflektierender Quarzglasoberflächen ermöglicht. Dabei soll die Nanostrukturierung der Quarzglasoberflächen vorrangig unter Verwendung selbstorganisierender Masken erfolgen. Bedingt durch Probleme bei der Abscheidung der GaSb- Maskenschichten konnten die Arbeiten dazu noch nicht abgeschlossen werden. Parallel dazu wurde ein alternativer Ansatz zur Direktstrukturierung von SiO2 mittels Ar- Ionenstrahlerosion untersucht. Durch diese Versuche konnte gezeigt werden, dass die Gradienten-Abhängigkeit der (lokalen) Erosionsrate der wichtigste Mechanismus bei der Ripple-Entwicklung auf diesen Oberflächen ist und im Wesentlichen auch für die Facettierung und das Coarsening der Ripple-Strukturen verantwortlich ist. Durch die geplante Untersuchungen zu Kr und Xe als Projektil-Ionen erwarten wir eine Verbesserung des Ordnungsgrades der Strukturen und erhalten zusätzlich, durch geeignete Wahl des Einfallswinkels, die Möglichkeit gezielt Einfluss auf die Form der Ripples (symmetrische bzw. asymmetrische Ripple-Flanken, Flankenwinkel) zu nehmen. Aus diesem Grund sollen beide Strukturierungsansätze in der zweiten Förderphase weiterverfolgt werden.

Ziel des Teilprojektes ist die Entwicklung eines Verfahrens， das die Herstellung纳米结构抗反射器Quarzglasoberflächen ermöglicht。大北太阳能电池纳米结构制造技术（Quarzglasoberflächen），研究方向为纳米结构制造技术（Verwendung selbstorganisierender maskenerfolgen）。当一个问题被解决的时候，这个问题就被解决了。平行大灰浆的替代材料，对SiO2的直接结构进行了分析，并对铝离子的腐蚀进行了研究。荷兰语：Versuche konte gezeigt werden， dass die Gradienten-Abhängigkeit der (lokalen) osionsrate der wiichgste Mechanismus bei der Ripple-Entwicklung auf diesen Oberflächen ist and im Wesentlichen auf . cn . Versuche facettiung and dararsing der ripple - struckturen verantworrich ist。荷兰die geplante Untersuchungen zu Kr和Xe ' s Projektil-Ionen erwarden ' s Verbesserung des Ordnungsgrades der Strukturen and erhalten zusätzlich，荷兰die gegeignete Wahl des Einfallswinkels， die Möglichkeit gezielt Einfluss auf die Form der波纹（对称）bzw。不对称的波纹- flanken， Flankenwinkel) zu nehmenas diesem grunsollen beide Strukturierungsansätze in der zweiten Förderphase weiterverfolgt werden。