Musterbildung auf Si- und Ge-Oberflächen durch niederenergetische Ionenstrahlerosion

该Teilprojekt，即第3和第6个版本的Ehemaligen Teilprojekte，必须通过实验基础，通过与经典光刻技术的结合，在Breitstrahlionenquellen的指导下，对Si和Ge上的电离层进行培养，从而实现应用导向的Fragen，以实现最佳的工艺控制。In Teil A wird，neben den bisher betrachteten primären Prozessparametern（z. B。离子能），在中间点上同时存在离子能。Die Musterbildung wird sowohl bei direkter Anwesenchmark von Schween als auch für vernachlässigbaren Schweenintrag betrachtet.在与其他电信项目合作时，这些电信项目必须提供韦尔登服务，这样就可以确定一个明确的电信运营商，使电信运营商能够韦尔登服务于总控系统。Die Ergebnisse bilden gleichzeitig die Datenbasis für den zweiten Schwerpunkt，der sich mit der kontrollierten Selbstorganisation durch gezielte Vorstrukturierung beschäftigt.因此，我们必须加强劳动力和韦尔登的保护。Zusätzlich aufgenommen韦尔登Untersuchungen zu untersuchungen zu untersudlichen Arten der Probenmanipulation während der Ionenstrahlerosion sowie Arbeiten an "stochastisch" vorstrukturierten Oberflächen.

Dieses Teilprojekt, das die ehemaligen Teilprojekte 3 und 6 vereint, beschäftigt sich mit den experimentellen Grundlagen der ionenbeschussinduzierten Musterbildung auf Si- und Ge- Oberflächen unter Verwendung von Breitstrahlionenquellen sowie applikations-orientierten Fragen zur verbesserten Prozesskontrolle durch Kombination mit klassischen Lithographietechniken. Im Teil A wird, neben den bisher betrachteten primären Prozessparametern (z. B. Ionenenergie), der simultane Eintrag von Eisens im Mittelpunkt der Untersuchungen stehen. Die Musterbildung wird sowohl bei direkter Anwesenheit von Eisen als auch für vernachlässigbaren Eiseneintrag betrachtet. In enger Zusammenarbeit mit den anderen Teilprojekten soll das Verständnis soweit vorangetrieben werden, dass zukünftig ein definiert gesteuerter Eiseneinbau als zusätzlicher Freiheitsgrad zur Musterkontrolle verwendet werden kann. Die Ergebnisse bilden gleichzeitig die Datenbasis für den zweiten Schwerpunkt, der sich mit der kontrollierten Selbstorganisation durch gezielte Vorstrukturierung beschäftigt. Dazu sollen die bisherigen Arbeiten fortgesetzt und ausgebaut werden. Zusätzlich aufgenommen werden Untersuchungen zu unterschiedlichen Arten der Probenmanipulation während der Ionenstrahlerosion sowie Arbeiten an „stochastisch“ vorstrukturierten Oberflächen.