Nukleation and properties of doped cubic boron nitride thin films and its alloys

掺杂立方氮化硼薄膜及其合金的成核与性能

• 批准号: 5214036
• 负责人: Professor Dr. Carsten Ronning
• 金额: --
• 依托单位: II. Physikalisches Institut - Atom- und Kernphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1998-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5214036?language=en
• 关键词: Nukleation; properties; doped; cubic; boron

Die massenselektierte Ionenstrahldeposition (MSIBD) soll zur Untersuchung des Wachstums und der Eigenschaften ternärer kubischer Bornitridsysteme (c-BN:X) angewendet werden. Die MSIBD Methode erlaubt eine kontrollierte Dotierung der BN-Schichten bis hin zur Legierungsbildung. Der Einfluß isoelektronischer Fremdatome auf die Phasenbildung und die Schichteigenschaften soll an Ga-, In-, P- und As-dotierten c-BN Schichten und ternären GaxB1-xN, InxB1-xN, BN1-xAsx und BN1-xAsx Legierungen untersucht werden. Ziele sind die Minimierung innerer Spannungen bei dotierten c-BN Schichten und die Bestimmung der grundlegenden strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften der genannten ternären Legierungen. Es soll geklärt werden, ob durch eine Dotierung oder durch Nukleation auf geeigneten Pufferschichten (GaN, AlN, Li3N) die Bildung der unerwünschten hBN Zwischenschicht vermieden werden kann. c-BN Schichten sollen während des Wachstums mit möglicherweise elektrisch aktiven Fremdatomen wie Li, Na, Mg, Zn und S dotiert und deren elektrische Eigenschaften charakterisiert werden. Ternäre B-C-N Schichten und gezielt dotierte BN-Schichten sollen zu vergleichenden Messungen für andere Gruppen innerhalb der Forschungsinitiative hergestellt werden.

离子离子沉积（MSIBD）技术的研究进展与研究进展ternärer kubischer硼氮系统（c-BN:X）的研究进展。采用MSIBD方法，建立了基于BN-Schichten的线性控制模型。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]Ziele sind die Minimierung inner Spannungen bei dotierten c-BN Schichten and die besestimung der grundlegendstrukturellen, elektrischen and optischen Eigenschaften der genannten ternären Legierungen。[1] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0] [0]c-BN Schichten sollen während des Wachstums mit möglicherweise elektrisch aktitiven freremdatomen Li, Na, Mg， Zn和S dotitit and deren elektrische Eigenschaften characterterisiert werden。Ternäre B-C-N Schichten und gezielt dotierte B-C-N Schichten sollen zu vergleichenden Messungen fgr andere Gruppen innerhalb der Forschungsinitiative hergestellt werden。