非磁性アモルファス合金の電子輸送現象

非磁性非晶合金中的电子输运现象

• 批准号: 61550479
• 负责人: 松田 猛
• 金额: $ 1.15万
• 依托单位: Aichi University of Education
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61550479/
• 关键词: アモルファス合金; 電子輸送現象; 電子構造; 熱電能; 比抵抗; ホール効果

電子輸送現象を論ずる場合、非磁性アモルファス合金を電子構造のちがいによって更に2つのグループ(G4,G5)に分類して議論すべきであるという我々の主張を実験的に確証した。G5は主として単純金属から成るアモルファス合金で、フェルミレベルがspバンド内にあり、温度に依存しない小さな常磁性又は反磁性磁化率を示す。一方G4は遷移金属を成分として含むアモルファス合金で、フェルミレベルはdバンド内にあり、温度に依存しないがG5にくらべて大きな常磁性磁化率をもつ。この研究では、第一に、G5アモルファス合金の熱電能が一般化されたFaber-Ziman(F-Z)理論の範囲でいかに説明できるかを調べるために、48種のMg-基アモルファス合金について熱電能の系統的な測定を行い、電子-フォノン相互作用を取入れた熱電能の計算を行った。その結果、G5アモルファス合金の熱電能の符号および温度依存性は、この理論の範囲で定性的に説明できること、また、電子-フォノン相互作用は低温での熱電能の増大効果の他に、電子の緩和時間による比較的高温領域での減少効果を生ずることを明らかにした。第二に、G5に属するMg-Cuアモルファス合金の比抵抗(ρ)の測定を行い、バルク試料のρ-T曲線は一般化したF-Z理論で説明できるが、膜厚が500【A!°】以下の試料では2次元の弱い局在効果によると考えられる比抵の異常な振舞いを見出した。第三に、【Cu_(50)】【Zr_(50-x)】【Al_x】および【Cu_(50)】【Ti_(50-x)】【Al_x】アモルファス合金について、電子比熱、ホール係数、比抵抗、磁化率および熱電能の系統的な測定を行った結果、Zr、TiがそれぞれAlでおきかえられるにつれて、フェルミレベル近傍の電子構造はd-dominantからSp-dominantになるとともに、電子輸送係数に明白な変化が見出された。このことは、同じ非磁性合金であってもG4とG5は電子輸送現象を論ずる場合、同一にして扱うことのできない明白な証拠であると考える。

Electron transport phenomenon, non-magnetic alloy, electron structure, non-magnetic alloy, non-magnetic alloyグループ(G4,G5)にClassificationして DiscussionすべきであるというI々のclaimを実験的にConfirmationした. G5 is made of pure metal and made of alloys and alloys. pバンド内にあり, temperature dependent しないsmall さなnormal magnetism and はdiamagnetic susceptibility をshow す. One of the components of G4 migration metals is むアモルファス alloy で, フェルミレベルはdバンド内にあり, temperature dependent しないがG5 にくらべて大きなnormal magnetic susceptibility をもつ.このResearch では、First に、G5 アモルファスAlloy Thermoelectric Energy がGeneralization されたFaber-Ziman (F-Z) Theory の法囲でいかにExplanation できるかを Adjustment べるために, 48 kinds of Mg-based アモルファス alloy について thermoelectric energy system. Measuring を行い, electron-フォノン interaction and taking in れたthermoelectric energy and calculating を行った.そのResults, G5 アモルファスAlloy のThermoelectric energy のsymbol およびTemperature dependence は, このTheory の Fan 囲でQualitative explanation できること, また, Electronic-フォThe high-temperature field has a reduced effect in the high-temperature field by comparing the high-temperature interaction with the high-temperature interaction and the increased effect of thermoelectric energy. Second, the determination of the specific resistance (ρ) of the G5 alloy Mg-Cu alloy, and the generalization of the ρ-T curve of the バルク sample and the F-Z theoryでExplanation: できるが, film thickness が500【A!°】The sample is 2-dimensional weak and the effect is によるとtest えられるCompared with the abnormal oscillation dance いをSee した. Third に、【Cu_(50)】【Zr_(50-x)】【Al_x】および【Cu_(50)】[Ti_(50- x)】【Al_x】アモルファスAlloy について, electron specific heat, ホール coefficient, specific resistance, magnetic susceptibility および thermoelectric energy systemなMeasurement results of を行った, Zr, Ti がそれぞれAl でおきかえられるにつれて, フェルミレベルNearly のelectronic structure はd-dominantからSp-dominantになるとともに, electron transport coefficient にclear な変化が见出された. On the electron transport phenomenon of non-magnetic alloys G4 and G5ずる occasion, the same にして扱うことのできないUnderstandingなproof拠であるとtestえる.