Einfluß der Mikrostruktur auf die Hochfrequenzeigenschaften von ferroelektrischer Bulk-Keramik und Dünnschichten

Im Rahmen des beantragten Projektes sollen die dielektrischen Hochfrezeigenschaften von ferroelektrischen Dünnschichten und Keramiken bis zu Frequenzen von 25 GHz in einem Temperaturbereich von 77 K bis 450 K in Abhängigkeit von der Mikrostruktur untersucht韦尔登. Neben dem physikalischen Verständnis der Pollutionationsmechanismen in solchen hoch-e-Materialien sind dabei die Einsatzmöglichkeiten in HF-Bauelementen von Interesse. 通过与Korngröße、Domänenstruktur和Gitterkonstanten相同的Stöchiometrie方法，可从快速Ausgangsmaterialienferelektrische Proben获得工艺参数韦尔登。Die Herstellung erfolgt für dünne Schichten mit Korndurchmessern von 20 nm bis 200 nm via Chemical Solution Deposition und für Keramiken mit Korndurchmessern von 0，2 µm und 2µm via Sol Gel-Routen. 通过阻抗、滞后和共振等电气特性，可以获得这些材料的信息。

Im Rahmen des beantragten Projektes sollen die dielektrischen Hochfrequenzeigenschaften von ferroelektrischen Dünnschichten und Keramiken bis zu Frequenzen von 25 GHz in einem Temperaturbereich von 77 K bis 450 K in Abhängigkeit von der Mikrostruktur untersucht werden. Neben dem physikalischen Verständnis der Polarisationsmechanismen in solchen hoch-e-Materialien sind dabei die Einsatzmöglichkeiten in HF-Bauelementen von Interesse. Durch Variation der Prozessparameter werden aus den gleichen Ausgangsmaterialien ferroelektrische Proben mit identischer Stöchiometrie aber unterschiedlicher Mikrostruktur wie Korngröße, Domänenstruktur und Gitterkonstanten präpariert. Die Herstellung erfolgt für dünne Schichten mit Korndurchmessern von 20 nm bis 200 nm via Chemical Solution Deposition und für Keramiken mit Korndurchmessern von 0,2µm und 2µm via Sol Gel-Routen. Darüber hinaus wird die Information über diese Materialien durch begleitende elektrische Charakterisierungen wie Impedanzspektroskopie, Hysterese und Resonanzmessungen vervollständigt.