In-situ-Modifikation ferroelektrischer Domänen in optischen Wellenleitern mit Hilfe der Rasterkraftmikroskopie

Nue Entwicklugen der Rasterkraftmikroskopie ermöglichen die分析和操纵铁素体在Schichten Aus BaTiO3 MIT 30 nm AuflöSong中的分析和操作。MIT Hilfe der Gepulsten激光沉积技术由BaTiO_3-Schichten外延材料和Eignung für verlustarme Optische Wellenleiter nachzuweisen材料组成。在Rippenform中，Y-Verzweiger和Mach-Zehnder-Bauelemente Hersterellt Worden。在Allen Fällen Eigenschaften中，我们对材料进行了优化，并对这些材料进行了分析。这句话的意思是：“这是一件非常重要的事情。”他说：“这是一件非常重要的事情。”这是一种新的技术，它是一种新型的材料，也是一种新型的材料。我们将为您提供更多的信息和更多的信息。从整体上看，我们的经济状况是好的，这是一项非常重要的工作。

Neue Entwicklungen der Rasterkraftmikroskopie ermöglichen die Analyse und Manipulation ferroelektrischer Domänen in epitaktischen Schichten aus BaTiO3 mit 30 nm Auflösung. Mit Hilfe der gepulsten Laser-Deposition ist es kürzlich gelungen, epitaktische BaTiO3-Schichten auf verschiedenen Substraten aufzuwachsen und ihre Eignung für verlustarme optische Wellenleiter nachzuweisen. Inzwischen sind auch erste Streifenwellenleiter in Rippenform, Y-Verzweiger und Mach-Zehnder-Bauelemente hergestellt worden. In allen Fällen werden die optischen Eigenschaften wesentlich von der Domänenstruktur im Material beeinflußt.Die Rasterkraftmikroskopie soll nun eingesetzt werden, um die Domänenstrukturen an lasterablatierten und naßchemisch gewachsenen dünnen ferroelektrischen Filmen zu analysieren. Zudem soll erforscht werden, inwieweit Domänen gezielt manipuliert werden können. Die Rasterkraftmikroskopie ermöglicht dabei auch das Einschreiben von nanoskaligen Strukturen. Außerdem ist geplant, diese Nanostrukturen in-situ optisch zu untersuchen, wobei Licht aus Glasfasern in die Wellenleiter eingekoppelt und zusätzlich die optische Nahfeldmikroskopie zur Analyse eingesetzt wird. Wir erwarten Erkenntnisse über die Dynamik einzelner Domänen sowie Aussagen über deren Stabilität. Ebenfalls sind Informationen über die kohärente und inkohärente Lichtstreuung an Domänenstrukturen ableitbar. Daraus werden auch Abschätzungen über die Anwendbarkeit ferroelektrischer Wellenleiter in integriert-optischen Schaltern möglich sowie über die domäneninduzierten nicht-linearen Effekte.