II-VI族化合物半導体中の3d遷移金属不純物の電子状態
II-VI 化合物半导体中 3d 过渡金属杂质的电子态
基本信息
- 批准号:62604505
- 负责人:
- 金额:$ 0.64万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1987
- 资助国家:日本
- 起止时间:1987 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
バンド理論の範囲内で経験的パラメーターを一切含まない第一原理に立脚した全電子グリーン関数法に基づいて, ZnS中のCr不純物の電子状態の計算を行った. (1)母体の半導体であるZnSの電子状態を, 第1原理に立脚したノルム保存型の擬ポテンジャル法で計算し, 母体のバンド構造を高い精度で記述する局在軌道の決定を行った. (2)不純物と周辺原子を含む系について母体のグリーン関数を行列表示で決定した. (3)不純物と周辺原子を含む系について局所歪の自由度をとり入れて, 安定な不純物位置とヤンテラー歪の対称性およびその大きさを決定した. (4)不純物による全電子エネルギーを計算し, 異なる荷電状態間の全エネルギーの差からドナー及びアクセプター準位の計算を行った. (5)電子スピン共鳴等の実験で得られるg値やCr不純物核位置における超微細相互作用定数の計算を行った. その結果, ZnS鉈のCr不純物について(a)Cr^+, Cr^<2+>, Cr^<3+>の三つの荷電状態が安定に存在し, それぞれは対称性の異なるヤンテラー歪を伴っている. (b)計算した不純物核位置での超微細相互作用定数やg値は, 存在する実験値とのよい定量的一致を示す. (c)ドナー準位もかなり実験値とのよい一致を示す. (d)G^<3+>については実験値は存在しないが, 理論計算から予測されたデータの検証が必要である. (e)ZnS中のCr不能物ではイオン性に加えて共有結合性も強く働いていることがわかった.
The calculation of the electronic states of Cr impurities in ZnS was carried out by the all-electron correlation method based on the first principle. (1)The electronic state of the parent semiconductor ZnS is calculated by the first principle, and the structure of the parent semiconductor is described with high accuracy. (2)The relationship between impurities and peripheral atoms in the system is determined by the number of columns and columns. (3)Impurity and perimeter atoms are included in the system. The degree of freedom of the impurity is determined by the stability of the impurity. (4)Calculation of all-electron-generated complex for impurities, calculation of all-electron-generated complex difference between different charge states, and calculation of all-electron-generated complex level. (5)The calculation of ultra-fine interaction number of Cr impurity nuclei in electron resonance equation. As a result, the charge states of Cr impurities in ZnS are stable, and the charge states of Cr^+, Cr^<2+>, Cr^<3+> are stable. (b)Calculation of the ultra-fine interaction parameters for impurity nucleus positions, existence of the parameters, and quantitative agreement are shown. (c)The value of the target is shown in the table below. (d)G^<3+> There is no real value, and theoretical calculation and prediction of data are necessary. (e) Cr in ZnS can not be a matter of strong combination.
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Katayama-Yoshida: International Journcl of Moder Physis B. 11. 1206-1247 (1987)
H.Katayama-Yoshida:国际现代物理学杂志 B. 11. 1206-1247 (1987)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
吉田 博其他文献
実際の理科授業でどのように『深い学び』を実現するのか
如何在实际的科学课堂上实现“深度学习”?
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
吉田 博;西野毅朗;杉森公一;竹中喜一;山下修一 - 通讯作者:
山下修一
授業「アゲハチョウの不思議を探る」から見えるもの
从“探索燕尾蝶的奥秘”课程中你能看到什么
- DOI:
- 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
吉田 博;榊原暢久;小林 良彦 長沼 祥太郎;村上忠幸 - 通讯作者:
村上忠幸
重力波で探るプラックホールと宇宙
用引力波探索气孔和宇宙
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
石河 孝洋;中西 章尊;清水 克哉;吉田 博;小田 竜樹;鈴木 直;安東 正樹 - 通讯作者:
安東 正樹
臨床検査における個人情報の管理について.臨床検査領域における個人情報の管理の現状と課題
关于临床试验中个人信息的管理。
- DOI:
- 发表时间:
2014 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
石田 博;中村 準二;吉田 博;小池 優;井上 裕二 - 通讯作者:
井上 裕二
吉田 博的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('吉田 博', 18)}}的其他基金
非アルコール性脂肪性肝疾患におけるHDLコレステロール引き抜き能異常と成因の解明
非酒精性脂肪肝中HDL胆固醇异常戒断能力及其病因的阐明
- 批准号:
24K11253 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ナノスケール・スピノーダル分解によるスピン流機能と制御法のデザイン
利用纳米级旋节线分解设计自旋电流函数及控制方法
- 批准号:
19048025 - 财政年份:2007
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
第一原理計算によるワイドギャップ半導体の価電子制御と物質設計
使用第一性原理计算的宽禁带半导体的价电子控制和材料设计
- 批准号:
12042246 - 财政年份:2000
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
第一原理分子動力学法による極限条件下における共有結合性液体の電子構造と動力学
使用第一原理分子动力学方法研究极端条件下共价液体的电子结构和动力学
- 批准号:
07236204 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
半導体中の短寿命不純物核プローブの電子構造と動力学
半导体中短寿命杂质核探针的电子结构和动力学
- 批准号:
06234203 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
II-VI族化合物半導体中の3d遷移金属不純物の電子状態-物質設計-
II-VI族化合物半导体中3D过渡金属杂质的电子态 - 材料设计 -
- 批准号:
01604506 - 财政年份:1989
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
II-VI族化合物半導体中の3d遷移金属不純物の電子状態
II-VI 化合物半导体中 3d 过渡金属杂质的电子态
- 批准号:
63604504 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
カテコールアミンα、受容体による心機能の調節とその異常
儿茶酚胺α,受体对心脏功能的调节及其异常
- 批准号:
63624508 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
内因性神経活性物質の研究ー成果のとりまとめ
内源性神经活性物质的研究-结果总结
- 批准号:
63114005 - 财政年份:1988
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Special Project Research
相似海外基金
II-VI 族化合物半導体ナノ結晶の時間分解レーザー分光研究
II-VI族化合物半导体纳米晶的时间分辨激光光谱研究
- 批准号:
11F01714 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
II-VI族化合物半導体超格子中における励起子系の研究
II-VI族化合物半导体超晶格中激子系统的研究
- 批准号:
96J01058 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
II-VI族化合物半導体の量子構造の研究
II-VI族化合物半导体量子结构研究
- 批准号:
96F00198 - 财政年份:1998
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
II-VI族化合物半導体低次元構造における励起子ダイナミクスの研究
II-VI化合物半导体低维结构中的激子动力学研究
- 批准号:
07650052 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
有機金属原料を用いたシンクロトロン放射光励起によるII-VI族化合物半導体の低温成長
使用有机金属原料的同步辐射激发低温生长 II-VI 族化合物半导体
- 批准号:
06650034 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
青色発光II-VI族化合物半導体中の転位運動
蓝色发射 II-VI 族化合物半导体中的位错运动
- 批准号:
06750006 - 财政年份:1994
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
シンクロトロン放射光照射によるII‐VI族化合物半導体のエピタキシャル成長
同步辐射辐照II-VI族化合物半导体的外延生长
- 批准号:
05650307 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
II-VI族化合物半導体の水素化解離過程の解明と薄膜成長への応用
II-VI族化合物半导体氢解离过程的阐明及其在薄膜生长中的应用
- 批准号:
05750293 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
II-VI族化合物半導体歪超格子の作製とその光物性に関する研究
II-VI族化合物半导体应变超晶格的制备及其光学性能研究
- 批准号:
04205103 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
偏光分光解析によるII-VI族化合物半導体超確子の光学的性質に関する研究
偏振光谱研究II-VI族化合物半导体超随机光学性质
- 批准号:
04205017 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 0.64万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas