MBE法によるII-VI族化合物半導体の結晶成長と評価に関する研究

MBE法II-VI族化合物半导体晶体生长及评价研究

• 批准号: 62604605
• 负责人: 丸山 享
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Tokyo University of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1987
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1987 至 1992
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62604605/
• 关键词: 分子線エピタクシ; II-VI族化合物半導体; 薄膜; 結晶評価

青色発光材料として期待されるZnSe薄層をMBE法により形成すること, 及びZnSe/GaAsヘテロエピタクシの成長機構解明を目標に実験を行った. 基板温度は330°Cに固定し, Se/Zn比を0.5〜3の間で変形させた成長を行い, 得られた成長層を2結晶X線回折法により評価した. Se/Zn比2.5, 熱処理時間20分の条件で成長させた試料(厚さ4.5um)では, (400)反射の半値幅は比較的小さく(180〃), 結晶完全性がよいことを示し, Se/Zn比2.8, 熱処理時間8分で成長させた試料(厚さ2.8um)では半値幅は340〃で, 前者に比べ結晶が悪い. また前者では, ZnSe(400)反射はGaAsのそれより780〃低角度側にあり, バルクGaAsとZnSeの反射角の差が680〃であることから考えて, 界面でZnSeとGaAsが格子整合し, その結果成長方向でZnSe格子が伸びていることを示す. 後者では, 反射角の差は685〃で上記680〃と大差がない. 従ってこの場合成長方向での格子の伸びはなく, 界面で格子整合がとれていないことが予想できる. ルミネセンスは上記2試料を含む数種類の試料について, He-Cdレーザを用い液体ヘリウム温度で測定し, バンド端付近の自由励起子による発光と, 一部の試料ではこのほか束縛励起子によると思われる発光がみられた. また大部の試料では, 深い準位によるとみられる1.8〜2.4eVの幅広い発光帯が観察された. この発光の原因は今のところわからない. これまでの結果では, 結晶性のよい試料においてバンド端付近の発光がより明瞭な構造を示し, 長波長発光に対する相対強度は増加の傾向にある.今後は引続き格子整合及び結晶完全性を検討し, ヘテロエピタクシにおける成長機構を明らかにする. これと並行してアンドープ結晶の高純度化を行い, 光ルミネセンスなどの手段による評価と合わせて, 不純物添加のための基礎データを得る.

The cyan luminescent material is expected to be formed by ZnSe thin layer by MBE method, And the growth mechanism of the ZnSe/GaAs ヘテロエピタクシの clarification target is the same. The substrate temperature is fixed at 330°C, The Se/Zn ratio is between 0.5 and 3, and the growth layer is formed by the crystal X-ray folding method. The Se/Zn ratio is 2.5, The heat treatment time is 20 minutes and the sample (thickness 4.5um) is grown under the condition of 20 minutes. (400) Reflection half width is relatively small (180〃), crystallization completeness is shown, Se/Zn ratio is 2.8, The heat treatment time is 8 minutes, and the growth of the sample (thickness: 2.8um) is half the width of 340〃で, and the former is more crystallized than the former. ZnSe (400) reflection はGaAs のそれより780にあり, バルクGaAsとZnSe のreflection angle のdifferent 680〃であることから考えて, The interface is ZnSe and GaAs lattice integration, The resulting growth direction of the ZnSe lattice is shown by the extension of the ZnSe grid. The latter is the difference between the reflection angle and the reflection angle, which is 685 and 680. The growth direction of the situation is the extension of the grid, and the integration of the interface is the grid integration. There are several types of sample materials mentioned in the above 2 samples, He-Cd liquid sample temperature measurement method,による発光と, Part of the test material is a binding force starter. The depth of the target is 1.8~2.4eV. The cause of the light is the cause of the light. The crystalline sample is clear and the structure is clear. Long-wavelength light has a tendency to increase in phase intensity. From now on, we will focus on lattice integration and crystallization completeness.ヘテロエピタクシにおける Growth Organization を明らかにする. これと Parallel してアンドープ Crystallization の High Purity を行い,光ルミネセンスなどのmeans による comment価と合わせて, impurity addition のためのbasic データをget る.

项目成果

Yoh Mita: J.Appl.Phys.61. 5325-5329 (1987)

Yoh Mita：J.Appl.Phys.61。

Yoh Mita: Proc.14th GaAs Symposium. (1987)

Yoh Mita：Proc.14th GaAs 研讨会。