光と電場を用いた有機分子配向体の作製と物性研究
光と電場を用いた有機分子配向体の作製と物性研究
批准号:
62604608
负责人:
丸山 有成
金额:
$1.47万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1987
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1987 至 --
关键词:
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英文摘要
本研究の目的は, 分子腺蒸着法(MBE法)を用いてどこまで薄くかつ均一な膜をつくることができるかを検討し, さらに蒸着時の分子線に光照射及び電場印加を行って膜の配向性を高めることができるかを調べることである. この線に沿っての62年度の研究経過は次の通りである.1.TCNQ, TCNQ, TTF錯体の場合TCNQあるいはTTF・TCNQ錯体を各種基板(シリコン, KCl, サファイヤ各単結晶, 石英)上に10nm以下の厚さで蒸着すると, いずれの場合も島状であり均一な薄膜は得られなかった. エピタキシー成長としては, 700°Cで前処理したシリコン単結晶上でTTF・TCNQが互いに垂直方向に成長した微単結晶となることが見出された.2.アルミニウムーF-フタロシアニン(PcAl-)ポリマーの場合上記物質はポリマーでありながら真空蒸着が可能で, かつTCNQなどに比べるとはるかに巨大な分子であるのでつぎにとりあげた. 蒸着膜のSEM像観察及びX線回折によれば, PcAlF-は数〓までの均一な薄膜を得る事が可能であることが判明した. シリコン単結晶(100)上では分子面が基板に対して直立した配向をしており, KCl単結晶(100)上では平行配向と直立配向がまざっているが, 平行配向部分がよく成長している. この傾向は, 蒸着時の基板温度が高くなるとより顕著となり, 比較的大きな(〜1000〓)単結晶の成長が認められた.以上述べたように62年の研究では光や電場の影響を調べる以前の段階で終わってしまった. 今後は, 比較的扱いやすいことが判明したフタロシアニンを用いて, 多層膜系の開発, それらの物性研究, さらには光や電場の影響についても調べて行く予定である.
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会议论文
フラーレン・アルカリ金属錯体の局所電子状態のSTMによる解析
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批准号:10149251
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1998
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
C_<60>類固体の物性研究
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批准号:04205132
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1992
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
分子性固体場の創造ー分子システム
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批准号:04353001
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1992
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
分子性固体場の創造と物性科学への展開
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批准号:03353001
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
有機多層超薄膜の作製・評価・物性研究
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批准号:03205118
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
分子性固体場の創造とその基礎電子物性
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批准号:02353002
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1990
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
有機多層超薄膜の作製・評価・物性研究
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批准号:02205116
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1990
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
光と電場と用いた有機分子配向性薄膜の作製
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批准号:01604603
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1989
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
光と電場を用いた有機分子配向性薄膜の作製
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批准号:63604590
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1988
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
多様(あるいは不均一)構造をとる分子集合体の電子物性(主に励起子状態)の研究
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批准号:X00080----347003
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.38万
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财政年份:1978
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
トンネルスペクトロスコピーによる固体有機物の電子構造(特に電導帯)の研究
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批准号:X00080----847005
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.96万
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财政年份:1973
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
超高圧真空下における有機半導体の導電現象
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批准号:X43210------4058
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.09万
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财政年份:1968
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负责人:丸山 有成
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依托单位: