有機多層超薄膜の作製・評価・物性研究
有機多層超薄膜の作製・評価・物性研究
批准号:
03205118
负责人:
丸山 有成
金额:
$1.28万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
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英文摘要
1.有機物超薄膜の構造と物性本年度は鉛フタロシアニンとC_<60>を対象としてその薄膜の構造と物性を調べた。前者は多層膜作製のベ-スとするため、まずその単一超薄膜の構造資価を行った。その結果、これまでに知られているフタロシアニンの場合とは異なったエピタキシャル成長をすることが明らかになり、かつそれが顕著な膜厚依存性をもつことも示された。さらに膜の構造と光吸収スペクトルとの間に相関があることも見出された。今後さらに検討を続ける予定である。一方C_<60>超薄膜は、グラファイト表面に蒸着されたものは、グラファイトの炭素原子の配列と一定の関係を満たす方向にむしろ一次元的に配列する傾向が強い。又、MoS_2上ではS原子の配列に対してエピタキシャル的な2次元配列が多く現れることが明らかとなった。又、C_<60>薄膜について、初めてSHG及びTHGを観測し、後者の値として有機物としては比較的大きな値(2×10^<-10>esu)を得た。2.C_<60>固体の導電性C_<60>の単結晶及び薄膜へのアルカリ金属(K,Rb)のド-ピングを行い、電気抵抗変化のその場観察によって条件の最適化を達成した。その結果、単結晶の場合には金属的な抵抗の温度変化が見出され、K_3C_<60>でTc=19K、Rb_3C_<60>でTc=28Kの鋭い超伝導転移が観測された。一方薄膜では抵抗率も大きく温度変化も半導体的であった。また、超伝導転移の温度幅もかなり広く零抵抗温度も単結晶の場合よりも大分低い。これらは粒界の存在による不均一ド-プ又は粒界抵抗によるものと考えられる。単結晶試料に対して熱起電力(熱電能)の温度依存性も測定した。その結果、起電力の符号は室温からTcまで負で金属的(線形変化)な変化を示すことが見出された。この事から、キャリヤ-は電子でそのフェルミエネルギ-は約0.4eV、キャリヤ-数は約1×10^<22>cm^<-3>と求められる。
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H.HOSHI: "Epitaxial Growth of Chloroaluminium and Vanadyl Phthalocyanine Films on Alkali Halide Single Crystals by MolecularーBeamーEpitaxy Technique" J.Appl.Phys.69. 3046 (1991)
H.HOSHI:“通过分子束外延技术在碱卤化物单晶上外延生长氯铝和氧钒基酞菁薄膜”J.Appl.Phys.69 (1991)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.HOSHI: "Optical Second and Third Harmonic Generations in C_<60> Film" Jpn.J.Appl.Phys.30. 1397 (1991)
H.HOSHI:“C_<60> 薄膜中的光学二次和三次谐波生成”Jpn.J.Appl.Phys.30。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.MARUYAMA: "Electronic Properties of C_<60> and Alkali Metal Doped C_<60> Thin Films or Single Crystals" Physica C. 185ー189. 413-414 (1991)
Y.MARUYAMA:“C_<60> 和碱金属掺杂的 C_<60> 薄膜或单晶的电子特性”Physica C. 185-189 (1991)。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H.OGATA: "Charge Transport and Superconducting Transitions in C_<60> Single Crystals and Thin Films Doped with Rubidium" Jpn.J.Appl.Phys.L. 31. 166-168 (1992)
H.OGATA:“C_<60>单晶和铷掺杂薄膜中的电荷传输和超导转变”Jpn.J.Appl.Phys.L。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.ACHIBA: "Visible,UV,and VUV Absorption Spectra of C_<60> Thin Films Grown by the MolecularーBeamーEpitaxy(MBE)Technique" Chem.Lett.1233 (1991)
Y.ACHIBA:“分子束外延(MBE)技术生长的C_<60>薄膜的可见光、紫外和真空紫外吸收光谱”Chem.Lett.1233(1991)
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 7 条
フラーレン・アルカリ金属錯体の局所電子状態のSTMによる解析
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批准号:10149251
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$0.96万
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财政年份:1998
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
C_<60>類固体の物性研究
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批准号:04205132
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1992
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
分子性固体場の創造ー分子システム
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批准号:04353001
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1992
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
分子性固体場の創造と物性科学への展開
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批准号:03353001
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1991
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
分子性固体場の創造とその基礎電子物性
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批准号:02353002
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.54万
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财政年份:1990
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
有機多層超薄膜の作製・評価・物性研究
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批准号:02205116
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1990
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
光と電場と用いた有機分子配向性薄膜の作製
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批准号:01604603
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1989
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
光と電場を用いた有機分子配向性薄膜の作製
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批准号:63604590
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1988
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
光と電場を用いた有機分子配向体の作製と物性研究
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批准号:62604608
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1987
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
多様(あるいは不均一)構造をとる分子集合体の電子物性(主に励起子状態)の研究
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批准号:X00080----347003
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.38万
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财政年份:1978
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
トンネルスペクトロスコピーによる固体有機物の電子構造(特に電導帯)の研究
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批准号:X00080----847005
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.96万
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财政年份:1973
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
超高圧真空下における有機半導体の導電現象
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批准号:X43210------4058
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.09万
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财政年份:1968
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负责人:丸山 有成
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依托单位:
海外基金