光と電場を用いた有機分子配向性薄膜の作製

利用光场和电场制造有机分子取向薄膜

基本信息

  • 批准号:
    63604590
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.28万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1988
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1988 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度は、光や電場を使用しない段階でどこまで均一で配向した薄膜が得られるかを検討した。MBE法を用いて、フタロシアニン(F)ポリマー薄膜をシリコン単結晶、石英、KCl、KBr、KI、NaClの各単結晶等を基板として用い作製した。100A〓以下の厚さの膜に対して、電子顕微鏡(SEM、TEM)X線回折で構造を観察し、光吸収(可視、赤外)スペクトルを測定した。シリコン及び石英上では、ポリマー鎖が基板に平行(分子面は基板に重直)になっており、2次元機構はむしろランダムであった(〜100A〓程度の結晶性一次鎖のランダムな集合構造)。一方KCl上では、12.6A〓の正方格子が約1000A〓の大きさの領域で成長し、ポリマー鎖は基板にほぼ垂直で従って分子面は基板に平行になっている。又、正方格子のドメインの方位が互いに37°の角度で一定値を示すことも明らかとなった。KClの(100)面上で互に37°の方位を持つ正方格子ととして14.1A〓の格子が可能で、基板と有機薄膜の界面ではかなり歪んだ正方格子になっていることが示唆される。KBr基板上では、1方位のみの正方格子像が観測され、これもKBr(100)面上の14.0A〓の一方位性正方格子に対応することが示唆される。以上のべた結果は光吸収スペクトルにもよく対応している。即ち、偏光赤外吸収スペクトルにおける面外C-H振動バンドはシリコン又は石英基板上でのみ現れる。又、KCl又はKBr上の歪んだ格子に対応する可視吸収バンドとして、Q-バンドより長波長側に新しい吸収ピークが現れる。以上の実験事実より、KCl及びKBr上では確かにエピタキシャル成長が実現されていることが明らかとなった。
This year, the use of optical and electric fields in the middle of the stage, the uniform alignment of thin films has been discussed. The MBE method is used to prepare crystal, quartz, KCl, KI, NaCl, etc. 100A thick film, electron microscope (SEM, TEM) X-ray reflection structure observation, optical absorption (visible, infrared) detection The crystal structure is composed of A crystal structure and a quartz crystal structure. The crystal structure is composed of a crystal structure and a quartz crystal structure. A square lattice of 12.6A on a KCl substrate grows in a large area of about 1000A, and a vertical molecular plane on a substrate is parallel to the substrate. In addition, the orientation of the square grid and the edge of the grid are at an angle of 37° to each other, which is clearly indicated. KCl (100) plane orientation 37° square lattice 14.1A lattice possible, substrate and organic film interface The square lattice image of the 14.0A plane on the KBr(100) surface is measured and displayed. The above results show that the absorption of light is very low. That is, the polarization of the red absorption surface of the out-of-plane C-H vibration and the quartz substrate. In addition, KCl also has a new absorption spectrum on the long wavelength side of the visible absorption spectrum. The above facts are true for KCl and KBr.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
A.J.Dann,星肇,丸山有成,稲辺 保: Chem.Phys.
A.J.Dann、Hajime Hoshi、Arinari Maruyama、Tamotsu Inabe:化学物理。
  • DOI:
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  • 作者:
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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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