フラーレン・アルカリ金属錯体の局所電子状態のSTMによる解析

富勒烯-碱金属配合物局域电子态的STM分析

• 批准号: 10149251
• 负责人: 丸山 有成
• 金额: $ 0.96万
• 依托单位: Hosei University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
• 财政年份: 1998
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1998 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-10149251/
• 关键词: フラーレン; トンネル顕微鏡; STM

研究実績の概要を以下に示す。1. Rb_xC_<60>錯体薄膜の局所電子構造のトンネル顕微鏡による解析:RbドープによりC_<60>薄膜の格子間隙でのフェルミ準位付近の電子状態密度が顕著に増大することがSTM/STS解析の結果から明らかとなった。これは、この錯体の金属的導電性発現の微視的機構を示すものとして興味深い結果である。2. 単層カーボンナノチューブ(SWCNT)のトンネル顕微鏡による研究:一本のSWCNTの構造、電子状態をSTM/STS解析によって明らかにすることを試みた。3. TDAE-C_<60>錯体結晶の気相成長の成功と磁性、導電性の測定。4. Ce_xC_<60>錯体が10.5Kで超伝導を示すことおよび強磁性的振舞いを示すことを発見した。

A summary of the results of the study is presented below. 1. The electron structure of Rb_xC_dislocation thin film was analyzed <60>by <60>STM/STS micro-mirror. The density of electron states near the lattice gap of Rb_xC_dislocation thin film increased significantly. The mechanism of the Weishi app for the occurrence of electrical conductivity in metals is discussed. 2. Study on the structure and electronic state of single layer SWCNT by STM/STS analysis. 3. Success <60>of phase growth of TDAE-C_dislocation crystals and determination of magnetic and electrical conductivity. 4. Ce_xC_<60>dislocation at 10.5K.

项目成果

丸山有成 他: "Characterization by STM and Electrical Conductivity of Single Walled Carbon Nanotubes" Fullerene Sci.Tech.(印刷中).

Arinari Maruyama 等人：“单壁碳纳米管的 STM 和电导率表征”富勒烯科学技术（正在出版）。

丸山有成 他: "Preparation and Characterization of La_xC_<60> Thin Films Fabricated by Layer-by-Layer Deposition" Fullerene Sci.Tech.6. 199-212 (1998)

Arinari Maruyama 等人：“通过逐层沉积制造的 La_xC_<60> 薄膜的制备和表征”Fullerene Sci.Tech.6 (1998)。