Thermodynamische und kinetische Untersuchungen zum Verhalten der Kohlenstoffisotope 12C und 13C in VGF-GaAs

Kohlenstoff是一家从事砷化镓-单晶硅和硅片质量认证的半导体技术公司。为苏黎世系统(AmPullenverfahren)和苏州系统(AmPullenverfahren)进行镀金，也为苏州系统(VCZ，VGF)提供服务。Kohlenstoff将在Den Kristall eingebaut Be der der Kristallzüchtung Aus verschiedenen Quellen(澳大利亚材料，Konamination，Dotierung)。Anwendung des AmPullenverfahrens des den einatz des natürlichen Isotop 13C ALS Fust Kohlenstoffquelle kann zwitchen DEM Eintrg Aus Dem Definierten QuellenMaterial(13C)and der Extraktion Aus DEM VorlafMaterial(12C)Unterschieden VorlafMaterden[han99].Das Projekt研究了VGF-GaAs(垂直梯度冻结)中12C和13C同位素的热力学和动力学。[Mü100].[mü100].在苏赫通人的系统中，我们的工作将继续进行。从安培的角度来看，这是一种机械稳定的壶腹材料的方法。他说：“这是一件很重要的事情。”Vom Gesamtdruck hängt auch ab，ob es zur Blasenbildung(Kochen)in der Boroxschicht während der Züchtung kommt，wodururk die Kinetik des Stoffaustauschs zwitchen Gasphen，Boroxid and GaAs-Schmelze beeifuüt wird。这是一件非常重要的事情，因为这是一件很重要的事情，因为这是一件非常重要的事情。我是一名热力工程和运动学专家，他在一系列砷化镓材料中进行了详细的热力学和动力学研究。用气相红外光谱和GDMS-Messungen-Sowie TOF-SIMS-Untersuhugen de gezüchteen Kristalle angestellt.在热力学和动力学模型中，所有的元素(Ga，As，C，N，O，H，Si，B)和Einbauverhalten von Kohlenstoff erweitert，Be DEM Alle im，Sowie die Kinetik der Einbauvorgänge Im Mehrphasensystem Beück sichtigt，Beück sichtigt.在软件包“ChemSage”和“ChemApp”的基础上建立热力学模型。Neben Langjähriger Erfahrung Bezüglich Druchführung和对热力学的解释基于热力学的Grunddaten zum系统Ga-As-B-N-C-H-Si zur Verfügung。这是一个很难解决的问题，因为它是一种有效的运输方式，也是最大的运输方式。这是一种热力学-运动学模型，它可以用来做实验。在实验过程中，我们从热力学的角度分析了B2O中的SiO_2和B2O中的SiO_2之间的关系。

Kohlenstoff besitzt eine herausragende Bedeutung für die Technologie der GaAs-Kristallzüchtung und die Qualität der erzeugten Einkristalle. Dies gilt sowohl für die Züchtung im geschlossenen System (Ampullenverfahren) als auch für die Züchtung im geschlossenen System (Ampullenverfahren) als auch fürdie Züchtung im Druchreaktor (CV, VCZ, VGF). Kohlenstoff wird bei der Kristallzüchtung aus verschiedenen Quellen (Ausgangsmaterial, Kontamination, Dotierung) in den Kristall eingebaut. Durch die Anwendung des Ampullenverfahrens und den Einsatz des natürlichen Isotops 13C als feste Kohlenstoffquelle kann zwischen dem Eintrag aus dem definierten Quellenmaterial (13C) und der Extraktion aus dem Vorlaufmaterial (12C) unterschieden werden [han99]. Das Projekt behandelt thermodynamische und kinetische Untersuchungen zum Verhalten der Kohlenstoffisotope 12C und 13C in VGF-GaAs (Vertical Gradient Freeze). Dabei wird davon ausgegangen, daß Kohlenstoff den zur Erzeugung von halbisolierenden GaAs erforderlichen Kompensationsmechanismus beeinflußt und deshalb in seiner Konzentration sehr genau eingestellt werden muß [mü100]. In einem geschlossenen Züchtungssystem kommen dem Kohlenstoff darüber hinaus noch weitere Steuerfunktionen zu. Der in der Ampulle herrschende Gesamtdruck ist für die mechanische Stabilität des Ampullenmaterials bei Züchtungstemperatur von prinzipieller Bedeutung. Von Interesse ist die Frage, inwieweit die Partialdrücke der Reaktionsprodukte des Kohlenstoffs zum Gesamtdruck beitragen. Vom Gesamtdruck hängt auch ab, ob es zur Blasenbildung (Kochen) in der Boroxidschicht während der Züchtung kommt, wodurch die Kinetik des Stoffaustauschs zwischen Gasphase, Boroxid und GaAs-Schmelze beeinflußt wird. Desweiteren ist die Frage zu beantworten, ob der C-Gehalt im System den Einbau anderer Verunreinigungen wie z.B. Sauerstoff, Silizium und Bor beeinträchtigt oder fördert. Im Projekt sollen die thermodynamischen und kinetischsen Einflußfaktoren des Kohlenstoffeinbaus in versetzungsarmes GaAs detailliert untersucht werden. Dazu sollen massenspektomeetrische Untersuchungen der Gasphase, FTIR- und GDMS-Messungen sowie TOF-SIMS-Untersuchungen der gezüchteten Kristalle angestellt werden. Weiterhin soll ein thermodynamisch-kinetisches Modell zur Beschreibung des Einbauverhaltens von Kohlenstoff erweitert werden, bei dem alle im System vorhandenen Elemente (Ga, As, C, N, O, H, Si, B) sowie die Kinetik der Einbauvorgänge im Mehrphasensystem berücksichtigt werden. Die Grundlage bildet ein thermodynamisches Modell auf Basis der Softwarepakete "ChemSage" und "ChemApp". Neben langjähriger Erfahrung bezüglich Druchführung und Interpretation von thermodynamischen Rechnungen steht eine in Präzision und Umfang einmalige Basis an thermodynamischen Grunddaten zum System Ga-As-B-N-C-H-Si zur Verfügung. Für die Problematik des Kohlenstoffeinbaus ist die Quantifizierung der kinetischsen Hemmung des Transports von CO durch die Boroxiddeckschicht über die Ermittlung eines effektiven Transportkoeffizienten von konkretem Interesse. Ein weiteres Ziel ist die Verbesserung des thermodynamisch-kinetischen Modells durch Vergleiche mit Züchtungsexperimenten. Dazu ist die weitere Aktualisierung der thermodynamischen Grunddaten durch Experimente, die die Untersuchung des temperaturabhängigen Löslichkeitsverhaltens (z.B. von SiO2 in B2O3 [Verunreinigung bzw. Wechselwirkung mit der Quarzampulle) zum Ziel haben, nötig.