Bindung, Struktur und elektronische Struktur an ZnS-CuInS2-Grenzflächen und Mischkristallen

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CuInS2 (CIS) ist für photovoltaische Anwendungen von großem Interesse. Innerhalb des lückenlosen Mischkristallsystems ZnS-CuInS2 (ZCIS) können die elektronischen und strukturellen Eigenschaften des CIS geeignet variiert werden. Im Rahmen des Vorhabens sollen ZnS- und CuInS2-Schichten und -Schichtsysteme auf gitterangepaßten Substraten mit Molekularstrahlepitaxie gewachsen und umfassend hinsichtlich Struktur, Elementverteilung, Bindungszuständen und elektronischer Struktur charakterisiert werden. Einen Schwerpunkt des Arbeitsprogramms bilden in situ-Studien zu den mit Materialabscheidung, Wachstum und Interdiffusion verbundenen, zusammensetzungsabhängigen strukturellen Phasenumwandlungen in den Schichten und an ihren Grenzflächen mit Elektronenbeugung (RHEED) und oberflächenempfindlicher Röntgenspektroskopie (XES). Zusätzliche Informationen zur chemischen Bindung, der lokalen Struktur sowie der elektronischen Eigenschaften der Schichten und Schichtsysteme sowie speziell der Bandanpassung an Grenzflächen sollen durch Photoelektronenspektroskopie gewonnen werden, die hinsichtlich morphologischer Aussagen durch Rastertunnelmikroskopie ergänzt werden.