Interconnection process of the thin film and its evaluation

薄膜互连工艺及其评价

• 批准号: 01420042
• 负责人: NAKATA Shuji
• 金额: $ 11.84万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
• 财政年份: 1989
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1989 至 1991
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01420042/
• 关键词: Interconnection; electrtoplating; Diamond Film; CVD process; STM; STS; microjoining; Adhesion Evaluation; 界面プロセス; 走査形トンネル顕微鏡; STS分析; めっきプロセス; トンネル電流特性; CVD法; 薄膜密着性評価方法; スクラッチ・テスト; 界面評価

Formation process of thin and thick metallic and diamond films and their applications to the micro joining or interconnection process in the assembly of microelectronics are shown experimentally for the construction of microstructure such as electronic devices. Main results are as follows.The adhesion of thin metallic films on the substrate, formed by cluster ion beam has voltage dependence, especially copper thin film, and furthermore, it's characteristics depends the mutual diffusion at the interface. For the estimating process for adhesion of the thin film and substrate, scratch testing is analyzed by the observation and classified on scratch pattern. Furthermore, the physical meaning of scratch test is shown.In The formation process of the diamond film by the CVD method with electron radiation type, the relation between quality of diamond film and process parameters, the pre-preparation effect by fine diamond polishing to increase the nucleous density at the substrate are shown experimentally.Characteristics of the diamond film by CVD depends on the selection of process parameters, they can be detected by STS analysis.Both the formation processes of both In/Sn or Sn electroplating films on the copper alloy lead or plate and the joining or interconnection process are analyzed and their processes can be applicable to the fabrication of micro structure of the electronic devices or the assembly of the microelectronic apparatus.

实验研究了薄、厚金属膜和金刚石膜的形成过程及其在微电子组装中的微连接或互连工艺中的应用。主要结果如下：团簇离子束在基体上形成的金属薄膜，尤其是铜薄膜的附着力具有电压依赖性，而且其附着力的特性取决于界面的相互扩散。对于薄膜与基体附着力的评价过程，划痕试验通过观察进行了分析，并对划痕图案进行了分类。在电子辐射式CVD金刚石膜的形成过程中，实验研究了金刚石膜质量与工艺参数的关系，金刚石精细抛光对提高基体晶核密度的预处理效果，CVD金刚石膜的特性取决于工艺参数的选择，分析了铜合金引线或板上In/Sn或Sn电镀膜的形成过程和连接或互连过程，其工艺可应用于电子器件微结构的制造或微电子器件的组装。

项目成果

Kiyokazu Yasuda: "Characterization of Thin Film/Substrate Interface made by ionized Cluster Beam Deposition" Proc.5th International Symposium of the Japan Welding Society.

Kiyokazu Yasuda：“通过电离簇束沉积制造的薄膜/基板界面的表征”，日本焊接学会第五届国际研讨会论文集。

仲田,辛,林: "めっき形成プロセスと熱源形態による接合性に対する検討" 溶接学会全国大会講演概要. 第47集. p.64-65 (1990)

Nakada、Shin、Hayashi：“取决于镀层形成过程和热源形式的粘合性研究”全国焊接学会会议演讲摘要，第 47 卷，第 64-65 页（1990 年）。

仲田,辛,林,中島: "低温反応接合材料利用によるフラックスレス接合プロセスの低温化と接合品質の向上ー微細電子材料の接合現象とプロセス制御に関する研究(第3報)ー" 溶接学会論文集.

Nakata、Shin、Hayashi、Nakajima：“利用低温反应键合材料降低无助焊剂键合工艺的温度并提高键合质量——精细电子材料的键合现象和工艺控制研究（第3次报告）”会议论文集日本焊接学会。

仲田 周次: "マイクロパラレルギャップ接合法における接合界面温度上昇挙動と接合現象ー微細電子材料の接合現象とプロセス制御に関する研究(第2報)ー" 溶接学会論文集. 10. 150-154 (1992)

中田修二：《微平行间隙接合方法中接合界面的温度上升行为和接合现象——精细电子材料的接合现象和工艺控制的研究（第2次报告）》日本焊接学会会议录10。150-。 154（1992））

仲田 周次: "微細・異種電子材料の接合現象とプロセス制御に関する研究(第4報)" 溶接学会講演概要集. 47. 66-67 (1990)

Shuji Nakata：“精细和异种电子材料的键合现象和过程控制的研究（第四次报告）”焊接学会会议摘要 47. 66-67 (1990)。