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化学気相堆積法によって作製したヘテロ接合界面のin-situXPSによる評価

化学気相堆積法によって作製したヘテロ接合界面のin-situXPSによる評価
使用原位 XPS 评估化学气相沉积制造的异质结界面
批准号：
01790420
负责人：
川崎 雅司
金额：
$0.45万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01790420/
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Development of metal halide X-nics in high-quality single-crystalline thin films and interfaces
  • 批准号：
    22H04958
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 资助金额：
    $126.05万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    川崎 雅司
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
酸化亜鉛薄膜の界面制御と透明トランジスタの作製
  • 批准号：
    13450123
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $9.86万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    川崎 雅司
  • 依托单位：
    Tohoku University
コンビナトリアル手法による強相関磁性薄膜・超格子の高速合成と高速物性評価
遷移金属元素ドープ酸化亜鉛エピタキシャル薄膜における新機能探索
  • 批准号：
    11875138
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    川崎 雅司
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology