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超音波励起によるプラズマCVD表面反応の制御

通过超声波激励控制等离子体 CVD 表面反应

基本信息

批准号：
05855003
负责人：
川崎雅司
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

薄膜作製において膜の構造や物性を決定する過程は、気相活性種が表面居吸着し固相へと変化していく表面反応である。表面反応のモードや速度を制御するには、基板温度が重要なパラメターとなる。本研究では、ポリマー基板の使用が可能な低い(100℃程度)基板温度を維持したまま積極的に表面反応を制御する新手法を開発した。プラズマCDVによるアモルファスシリコンの作製時に、圧電素子により2MHzの超音波振動を基板に印加し、薄膜の光電特性の向上に成功した。従来から報告されている、紫外光励起やイオン照射等の高エネルギー励起ではなく、低エネルギー量子のマイルドな励起により、従来から報告されているよりも低欠陥密度のアモルファスシリコンを作製できた。SiH_4を原料とする容量結合型プラズマCVDにより基板温度120℃でアモルファスシリコンを堆積した。基板は共振周波数2MHzのPZT振動子にInで貼り付けた。圧電振動の印加により光導電率は2x10^<-7>OMEGAcm^<-1>から6xl0^<-5>OMEGAcm^<-1>に向上し、暗導電率は双方ともlxl0^<-10>OMEGAcm^<-1>台であり、光感度の大幅な向上が達成できた。一定光電流法により評価した膜中の欠陥密度は、圧電振動の印加により、lxl0^<16>cm^<‐3>から7x10^<14>cm^<-3>に低減できた。圧電振動の効果が表面反応の変調であることを確かめるために、in‐situ XPS-とAFMによる表面分析を行った。圧電振動を印加してSnO_2透明電極上に作製したアモルファスシリコン超薄膜は明らかな島状成長をしており、表面でのプリカーサーのマイグレーションの促進が確認できた。

The process of film production is determined by the structure and physical properties of the film, and the active species in the deuterium phase are adsorbed on the surface and the solid phase is changed, and the surface is reacted by surface reaction. The speed of surface reflection is controlled by the control method, and the temperature of the substrate is also important. In this study, it is possible to use a low-temperature substrate (approximately 100°C) to maintain active surface reaction and control the new method of controlling the surface reaction using a でなリマー substrate.プラズマCDV によるアモルファスシリコンのproduced by にに,姧电素子によりThe ultrasonic vibration of 2MHz has been applied to the substrate and the photoelectric properties of the film have been improved successfully.従来からreportされている, ULTRAVIOLET EXHIBITION やイオン irradiation, etc. HIGH エネルギーILIQI ではなく, LOW エネルギーquantum のマイルドな利起により、従来からreport されているよりThis is a low-density, low-density, high-density product. SiH_4を raw material and capacity combined type プラズマCVD, substrate temperature 120℃, でアモルファスシリコンを deposition method. The PZT vibrator with a resonance frequency of 2MHz is attached to the substrate. Pressure Electric Vibration Inca Photoconductivity は2x10^<-7>OMEGAcm^<-1>から6xl0^<-5>OMEGAcm^<-1 >The upper side is higher, the dark conductivity is lower than the upper side, and the higher the light sensitivity is, the higher the light sensitivity is. The constant photocurrent method can be used to evaluate the density of the film, the pressure of electric vibration and the low density of lxl0^<16>cm^<-3>7x10^<14>cm^<-3>. The effect of high-voltage electric vibration is the surface reaction of the surface, and the in-situ XPS-AFM surface analysis is carried out. Ultra-thin film made of high-pressure electric vibration and ultra-thin film on SnO_2 transparent electrodeかな Island Growth をしており, Surface でのプリカーサーのマイグレーションの Promotion がConfirmation できた.