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偏光反射分光法によるプラズマCVD表面反応の解析と制御

使用偏振反射光谱分析和控制等离子体 CVD 表面反应

基本信息

批准号：
06750013
负责人：
川崎雅司
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750013/
关键词：
a-Si:H プラズマCVD 光反射その場分析超音波

项目摘要

本申請課題では、プラズマCVD薄膜成長中の表面を光の反射を用いて評価し、その反応過程を制御する新手法の開発を目的とした。a-Si:H膜の成長過程を、レーザ光の反射強度を時間分解で解析し、表面反応のリアルタイムの評価方法を確立した。プラズマCVD装置にHe-Neレーザからの白色光を導入し、成長膜表面からの反射光の強度リアルタイムで収集した。入射光の一部はハーフミラーで参照信号としてモニターし信号の規格化を行った。主な成果は以下の通りである。1.緩和過程における反射強度変化の解析成膜を中断した直後に、反射強度が約数十秒に渡って反射光強度が変化した。この変化を、多重散乱モデルでコンピュータ解析した。表面の1nm程度の領域で、密度が小さい表面反応層が緩和して、より密度の高い層に変化していることで説明できた。この解析から、表面反応層での水素の脱離過程とSi-Siの結合の生成過程を検出していると結論した。2.超音波励起効果の評価プラズマCVDによるアモルファスシリコンの作製時に、圧電素子により2MHzの超音波振動を基板に印加し、薄膜の光電特性の向上に成功した。この成膜プロセスのその場光反射診断を行った。超音波励起により、より密度の高い良質な薄膜が形成されていることを明らかにした。

the object of that present application is to develop a new method for evaluate the reflection of light from the surface during the growth of CVD thin film and controlling the reflection process The growth process of a-Si:H film, the reflection intensity of light, the time decomposition analysis, and the evaluation method of surface reflection are established. White light from the He-Ne laser is introduced into the CVD device, and the intensity of reflected light from the surface of the growth film is reduced. Part of the incident light is normalized to the reference signal. The main achievement is to pass through the following. 1. During the relaxation process, the reflection intensity changes and the analytical film formation is interrupted. After the reflection intensity changes for about ten seconds, the reflection intensity changes. The analysis of this problem is based on the following: The surface area of 1nm, density is small, surface reflection layer is moderate, density is high, and surface reflection layer is moderate. The analysis and conclusion of the separation process of water element and the formation process of Si-Si combination in the surface reflection layer are presented. 2. Evaluation of ultrasonic excitation effects in CVD process, and improvement of photoelectric properties of thin films due to ultrasonic vibration at 2MHz The film formation process and the field optical reflection diagnosis are performed. The ultrasonic excitation causes the formation of a thin film of high density and high quality.