舌の温熱刺激に応答する単一舌神経応答に対するレーザー照射の効果

1987年度日本歯科保存学会春季学会において、低出力レーザー照射が電気刺激に誘発された集合電位に対して影響を及ぼすことを報告した。今回、ネコ舌の温熱刺激に応答する単一神経線維に対するレーザー照射効果について検討し以下の成績を得た。1.実験材料 (1)レーザー出力装置:Ga-As半導体を発振源とした出力2wp、波長904nmのパルスレーザー照射装置を使用した。(2)実験動物:2.5〜3.5kgの成猫20匹を用い、麻酔後舌神経を剖出して電位記録用とした。2.刺激および電位記録 (1)刺激方法:舌に電気、機械および温熱刺激を与えた。(2)単一神経活動の記録方法:舌神経を分離し単一神経とし、舌表面に機械および温熱刺激を与えて応答する神経活動を記録後、レーザーを1、3、5および10分間照射した。照射効果については、温度刺激に対する30秒あたりの全スパイク数の増減を照射前後で比較判定した。3.実験成績、温熱および高閾値の機械刺激に応答するunit(伝導速度3m/sec以内)に対するレーザー照射効果をレーザー照射前と1、3、5および10分間照射後のスパイク頻度をhistgramで比較したところ、1分間照射ではスパイク頻度の変化は著名ではないが3および5分間照射によりスパイク頻度の明らかな減少が認められた。しかし、以降10分と照射を加えてもスパイク頻度はほとんど減少しなかった。このように舌の侵害情報伝達に関係すると思われる高閾値機械受容性侵害的熱受容器の興奮に対してレーザー照射は明らかな抑制効果を示した。以上、今回の成績から低出力レーザーの鎮痛効果について神経生理学的にその作用機序の一端を解明したと考える。このメカニズムをより明らかにするにはレーザー照射が神経線維周辺あるいは受容器にどのような影響を与えるのかについて今後詳細な検討を加える必要がある。

1987年度日本歯科保存学会春季学会において、低出力レーザー照射が電気刺激に誘発された集合電位に対して影響を及ぼすことを報告した。今回、ネコ舌の温熱刺激に応答する単一神経線維に対するレーザー照射効果について検討し以下の成績を得た。1.実験材料 (1)レーザー出力装置:Ga-As半導体を発振源とした出力2wp、波長904nmのパルスレーザー照射装置を使用した。(2)実験動物:2.5〜3.5kgの成猫20匹を用い、麻酔後舌神経を剖出して電位記録用とした。2.刺激および電位記録 (1)刺激方法:舌に電気、機械および温熱刺激を与えた。(2)単一神経活動の記録方法:舌神経を分離し単一神経とし、舌表面に機械および温熱刺激を与えて応答する神経活動を記録後、レーザーを1、3、5および10分間照射した。照射効果については、温度刺激に対する30秒あたりの全スパイク数の増減を照射前後で比較判定した。3.実験成績、温熱および高閾値の機械刺激に応答するunit(伝導速度3m/sec以内)に対するレーザー照射効果をレーザー照射前と1、3、5および10分間照射後のスパイク頻度をhistgramで比較したところ、1分間照射ではスパイク頻度の変化は著名ではないが3および5分間照射によりスパイク頻度の明らかな減少が認められた。しかし、以降10分と照射を加えてもスパイク頻度はほとんど減少しなかった。このように舌の侵害情報伝達に関係すると思われる高閾値機械受容性侵害的熱受容器の興奮に対してレーザー照射は明らかな抑制効果を示した。以上、今回の成績から低出力レーザーの鎮痛効果について神経生理学的にその作用機序の一端を解明したと考える。このメカニズムをより明らかにするにはレーザー照射が神経線維周辺あるいは受容器にどのような影響を与えるのかについて今後詳細な検討を加える必要がある。