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走査トンネル顕微鏡による,シリコン(100)面における銀の薄膜形成の初期過程

走査トンネル顕微鏡による,シリコン(100)面における銀の薄膜形成の初期過程
使用扫描隧道显微镜在硅（100）表面形成银薄膜的初始过程
批准号：
01750005
负责人：
橋詰 富博
金额：
$0.64万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01750005/
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金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態
  • 批准号：
    06224201
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    橋詰 富博
  • 依托单位：
    Tohoku University
金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態
  • 批准号：
    05233202
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    橋詰 富博
  • 依托单位：
    Tohoku University
FI-STMによる新機能発現の基礎研究(金属表面の触媒機構)
  • 批准号：
    04205012
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    橋詰 富博
  • 依托单位：
    Tohoku University
低温STMによるシリコン(100)清浄表面及び吸着表面の研究
  • 批准号：
    03455004
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.16万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    橋詰 富博
  • 依托单位：
    Tohoku University