シリコン(100)表面におけるアルカリ金属の吸着構造と電子状態の吸着量依存性
シリコン(100)表面におけるアルカリ金属の吸着構造と電子状態の吸着量依存性
批准号:
02650004
负责人:
橋詰 富博
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
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金属や半導体表面におけるアルカリ金属の吸着現象は、表面物理学のスタ-ト時から注目され多くの研究がされ続けていて、現在、アルカリ原子の飽和吸着量、吸着位置(吸着構造)、電価の移動も含めた電子状態、集団励起の問題(吸着層の金属性の起因)などが、特に注目されている。本研究により明かにされた点を挙げると、Si(100)面において、吸着初期(被覆率θ=〜1%,ただし、ダイマ-の個数をθ=1/2とする)に置けるアルカリ金属(Li,K,Cs)の吸着の類似点としては、1)アルカリ金属は、Si原子のダングリングボンドと強く相互作用を及ぼし、ダイマ-の片側に寄った位置に吸着する、2)吸着により、非対称ダイマ-を安定化する、3)吸着の影響は長距離に及ぶ等があげられる。相違点として、1^1)Liがダイマ-1個の上に吸着するのに対し、KとCsは2個のダイマ-の間に吸着する、2^1)LiとKにおいては、非対称ダイマ-の安定化が長距離であるのに対し、Csにおいては、非対称のダイマ-の安定化はダイマ-数個に制限されているが、表面の、特に空準位の電子状態は、吸着Csの量と比べてかなり広い領域に渡って吸着の影響をうけ、ダイマ-3個おきの周期性がみられる、3^1)吸着量を増加させたとき、KとCsでは(3倍周期の)規則構造がみられるが、Liでは、不規則に吸着し、2x1構造が見えにくくなる等の結果が得られた。従来、これらの系におけるアルカリ吸着位置はいわゆるLevine模型が仮定されていたが、今回のSTM観察によりそれが疑問視されることになる。さらに吸着量を増していくと、Cs吸着系において2x3構造が見られた。また、K吸着において、2x3構造の前兆と考られる構造が、単原子ステップで観察された。しかし、θ<1/3においてアルカリ金属の表面層では、金属的な電子状態を示さないことが明かにされた。
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T.Hashizume,Y.Hasegawa,I.Sumita & T.Sakurai,: "“FIーSTM Study of Alkali Metal Adsorption on The Si Surfaces,"" Surf.Sci.(1991)
T.Hashizume、Y.Hasekawa、I.Sumita 和 T.Sakurai,““硅表面碱金属吸附的 FI-STM 研究”,Surf.Sci.(1991)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Hashizume,I.Sumita,Y.Murata,S.Hyodo,& T.Sakurai,: "“Cs Adsorption on the Si(100)2x1 Surface,"" J.Vac.Sci.Technol.A9. (1991)
T.Hashizume、I.Sumita、Y.Murata、S.Hyodo 和 T.Sakurai,““Cs 在 Si(100)2x1 表面上的吸附”,J.Vac.Sci.Technol.A9. (1991)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Hashizume,Y.Hasegawa,& T.Sakurai,: "“FIーSTM Study of Alkali Metal Adsorption on The Si Surfaces,"" Appl.Surf.Sci.(1991)
T. Hashizume、Y. Hasekawa 和 T. Sakurai,““硅表面碱金属吸附的 FI-STM 研究”,Appl.Surf.Sci.(1991)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Sakurai,Y.Hasegawa,I.Kamiya & T.Hashizume,: "“Alkali Metal Adsorption on the Si(100)2x1 Surface studied by FIーSTM and LEED,"" Phys.Rev.B. (1991)
T.Sakurai、Y.Hasekawa、I.Kamiya 和 T.Hashizume,:“通过 FI-STM 和 LEED 研究的 Si(100)2x1 表面上的碱金属吸附”,Phys.Rev.B. (1991)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態
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批准号:06224201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:橋詰 富博
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依托单位:
金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態
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批准号:05233202
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.09万
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财政年份:1993
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负责人:橋詰 富博
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依托单位:
FI-STMによる新機能発現の基礎研究(金属表面の触媒機構)
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批准号:04205012
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1992
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负责人:橋詰 富博
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依托单位:
低温STMによるシリコン(100)清浄表面及び吸着表面の研究
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批准号:03455004
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:1991
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负责人:橋詰 富博
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依托单位:
半導体表面における光CVDプロセスの初期過程の原子レベル構造解析
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批准号:03239201
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1991
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负责人:橋詰 富博
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依托单位:
走査トンネル顕微鏡による,シリコン(100)面における銀の薄膜形成の初期過程
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批准号:01750005
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1989
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负责人:橋詰 富博
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依托单位:
海外基金