金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態

金属富勒烯在金属/半导体表面的吸附结构和电子态

• 批准号: 05233202
• 负责人: 橋詰 富博
• 金额: $ 1.09万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1993
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1993 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05233202/
• 关键词: フラーレン; STM; 銅; 銀; シリコン; 薄膜

シリコン表面において、フラーレンは表面のSi原子のダングリングボンドと強く化学結合をして、バルクにおけるスピン(回転)を止めることが判明している。本年度はフラーレンを吸着する表面を銅、銀として、吸着したフラーレンの薄膜、構造、電子状態を研究した。Cu(III)表面におけるC_<60>単分子膜において、C_<60>は分子間距離10.2AとバルクとほぼサイズのCu(111)-(4×4)C_<60>稠密単分子膜を形成した。このとき全てのC_<60>分子が、Cu表面の3-fold-hollow位置に吸着して、C_<60>の回転が止まり、C_<60>固有の電子状態に対応した3回対称の内部構造がSTMにより観察された。銅表面においてはフラーレンとの相互作用が比較的強く、またC_<70>、C_<60(x)>C_<10(1-X)>においても(4×4)構造が得られた。Ag(111)表面においてはC_<60>、C_<70>、Sc_2@C_<84>などのフラーレンを吸着し、単分子膜を形成すると、いづれの場合もそれぞれのバルクと同じサイズの稠密面となり、基板に対する整合性はCu(111)と比べて弱い。

It is now clear that there is a strong chemical bond between the silicon atoms on the surface of the silicon atom, and the silicon atoms on the surface of the silicon atom are bonded to each other. This year, the surface of copper, silver, and iron, and the structure and electronic state of iron and steel were studied. The Cu(III) surface is covered with C<60>_<60>(111)-(4×4)C_(111)-C_(1111)-C_(111)-C_(111)-C_(1111)-C_(11111)-C_(1111)-C_(11111)-C_(1111)-C_(<60>1111 The C_molecules of the whole system<60>, the adsorption of the 3-fold-hollow position on the Cu surface, the return of the C_<60>molecules, the <60>intrinsic electronic state of the C_molecules, and the internal structure of the 3-fold-hollow structure were observed. The interaction between copper surface and copper surface is relatively strong, C_<70>, C_&lt;60(x)&gt;C_&lt;10(1-X)&gt; C_(4×4) structure is obtained. Ag(111) surface is characterized by C_<60>, C_<70>, Sc_2@C_, C<84>_

项目成果

橋詰富博: "Intramolecular Structures of C_<60> molecules Adsorbed on the Cu(111)1×1 Surface" Phys.Rev.Lett.71. 2959-2962 (1993)

Tomihiro Hashizume：“吸附在 Cu(111)1×1 表面上的 C_<60> 分子的分子内结构”Phys.Rev.Lett.71 (1993)。

橋詰富博: "Field Ion-Scanning tunneling Microscopy Study of C_<84> on the Si(100) surface" Jpn.J.Appl.Phys.Lett.32. L132-L134 (1993)

Tomihiro Hashizume：“Si(100) 表面上 C_<84> 的场离子扫描隧道显微镜研究”Jpn.J.Appl.Phys.Lett.32 (1993)。

橋詰富博: "走査トンネル顕微鏡1分光法によるC_<60>の吸着" 固体物理. 28. 518-526 (1993)

Tomihiro Hashizume：“通过扫描隧道显微镜 1 光谱法吸附 C_<60>”，《固体物理》28. 518-526 (1993)。

橋詰富博: "The Absolute Coverage of K on the Si(111)-3×1-K Surface" Jpn.J.Appl.Phys.32. L1263-L1265 (1993)

Tomihiro Hashizume：“K 在 Si(111)-3×1-K 表面上的绝对覆盖率”Jpn.J.Appl.Phys.32 (1993)。

橋詰富博: "Si表面におけるフラーレン吸着" 真空. 36. 471-480 (1993)

Tomihiro Hashizume：“硅表面上的富勒烯吸附”真空。 36. 471-480 (1993)