金属フラーレンの金属・半導体表面における吸着構造と電子状態

点击翻译按钮获取中文摘要

シリコン表面において、フラーレンは表面のSi原子のダングリングボンドと強く化学結合をして、バルクにおけるスピン(回転)を止めることが判明している。本年度はフラーレンを吸着する表面を銅、銀として、吸着したフラーレンの薄膜、構造、電子状態を研究した。Cu(III)表面におけるC_<60>単分子膜において、C_<60>は分子間距離10.2AとバルクとほぼサイズのCu(111)-(4×4)C_<60>稠密単分子膜を形成した。このとき全てのC_<60>分子が、Cu表面の3-fold-hollow位置に吸着して、C_<60>の回転が止まり、C_<60>固有の電子状態に対応した3回対称の内部構造がSTMにより観察された。銅表面においてはフラーレンとの相互作用が比較的強く、またC_<70>、C_<60(x)>C_<10(1-X)>においても(4×4)構造が得られた。Ag(111)表面においてはC_<60>、C_<70>、Sc_2@C_<84>などのフラーレンを吸着し、単分子膜を形成すると、いづれの場合もそれぞれのバルクと同じサイズの稠密面となり、基板に対する整合性はCu(111)と比べて弱い。