FI-STMによる新機能発現の基礎研究(金属表面の触媒機構)
利用FI-STM(金属表面催化机制)表达新功能的基础研究
基本信息
- 批准号:04205012
- 负责人:
- 金额:$ 1.28万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1992
- 资助国家:日本
- 起止时间:1992 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本年度 Ag(110)-0.Cu(111)-Cl,S,Cu(111)-C_<60>等で成果が得られた。Cu(111)面においてC_<60>は吸着量が小さいときはステップに偏折し、吸着量が増すにつれて、1原子層の二次元島を形成する。STM/STSの結果より、Cu表面からC_<60>へのかなりの電荷の移動が観察された。Cu(111)面上の吸着したC_<60>は安定に吸着していて、Vs=-V〜+2Vの範囲でバイアス依存性を示すC_<60>の内部構造が観察された。吸着の規則性はほぼCu(111)-4×4-Cu_<60>でlattice mismatchも2%と非常に小さく、misfitの大きいCu(100)、Cu(110)面では見られないsingle domainの成長が得られる。Cu(111)面では、Si表面と同様にC_<60>と基板が強く結合して、この様な内部構造が観察されると考えられ、Cu表面の触媒作用とも関連して興味深い知見が得られた。STM像において3回対称性を示しているトンネル電流は主として182番目のバンドが寄与していると考えられ、C_<60>の6環鎖が中心になるように吸着していると考えると良く説明できる。また、STM像において3回対称性を示している3個の明点はC_<60>の3つの5環鎖に対応することが結論できる。さらに、いくつかのドメインを示しているSTM像の詳細に解析して、Cu(111)面上においてはC_<60>の1個の6環鎖が基板面に平行に吸着しているとするとこれらのSTM像が矛盾無く説明できることが明らかになった。
Ag (110) - this year 0. Cu (111) - Cl, S, Cu (111) - C_ < > 60 で が have some achievements ら れ た. Cu (111) surface に お い て C_ < > 60 は sorption amount が small さ い と き は ス テ ッ プ に bending し, sorption capacity が raised す に つ れ て, atomic layer 1 の formation す secondary yuan island を る. STM/STS <s:1> results よ よ, Cu surface ら らC_<60>へ <s:1> な な <s:1> <s:1> charge <e:1> movement が観 observe された. の Cu (111) surface sorption し た C_ < > 60 は settle に sorption し て い て, V = V ~ + 2 V の van 囲 で バ イ ア ス dependency を shown す C_ < > 60 の internal structure が 観 examine さ れ た. Sorption の regularity は ほ ぼ Cu (111) - 4 x 4 - Cu_ < > 60 で lattice mismatch も 2% と very small に さ く, misfit の big き い Cu (100), Cu (110) surface で は see ら れ な い single domain の growth が must ら れ る. Cu (111) surface で は, Si surface と with others に C_ < > 60 strong と substrate が く combining し て, こ の others な internal structure が 観 examine さ れ る と exam え ら の れ, Cu surface catalysis と も masato even し て tumblers deep い knowledge が must ら れ た. STM like に お い て 3 back to say sex を seaborne in し て い る ト ン ネ は ル current main と し て 182's mesh の バ ン ド が send し て い る と exam え ら れ, C_ < > 60 の 6 ring lock が center に な る よ う に sorption し て い る と exam え る と good く illustrate で き る. ま た, STM as に お い て 3 back said sexual を seaborne in し て い る three の bright point は C_ < > 60 の 3 つ の 5 ring lock に 応 seaborne す る こ と が conclusion で き る. さ ら に, い く つ か の ド メ イ ン を shown し て い る STM as detailed analytical し に の て, Cu (111) surface に お い て は C_ < > 60 の の 1 6 ring lock が base board face に parallel に sorption し て い る と す る と こ れ ら の STM as が く instructions are not contradictory で き る こ と が Ming ら か に な っ た.
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
X.D.Wang,T.Hashizume,H.Shinohara,Y.Saito,Y.Nishina and T.Sakurai,: "¨Scanning tunneling microscopy of C_<60> on the Si(111)surface,¨" Jpn.J.Appl.Phys. 31. 983-986 (1992)
X.D.Wang、T.Hashizume、H.Shinohara、Y.Saito、Y.Nishina 和 T.Sakurai,:“Si(111) 表面上 C_<60> 的扫描隧道显微镜,”Jpn.J.Appl。物理学。31。983-986(1992)
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T.Hashizume,M.Taguchi,K.Motai,H.Lu,K.Tanaka and T.Sakurai: "¨Scanning Tunneling Microscopy of Oxygen Adsorption on the Ag(110)Surface,¨" Surf,Sci.266. 282-288 (1992)
T. Hashizume、M. Taguchi、K. Motai、H. Lu、K. Tanaka 和 T. Sakurai:“Ag(110) 表面氧吸附的扫描隧道显微镜,”Surf,Sci.266-。 288 (1992)
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
M.Taniguchi,K.TAnaka,T.Hashizume and T.Sakurai: "¨Boundary Structure of the (nxl)Added Rows of Ag-O Chains on the AG(110)Surface,¨" Chem.Phys.lett.192. 117-121 (1992)
M.Taniguchi、K.TAnaka、T.Hashizume 和 T.Sakurai:“AG(110) 表面上 (nxl) 添加的 Ag-O 链行的边界结构,”Chem.Phys.lett.192。 117-121 (1992)
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- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Hashizume: "¨Cxygen Adsorption on Ag(110)Studied by the FI-STM,¨" Ultramicroscopy. 42-44. 553-555 (1992)
T.Hashizume:“通过 FI-STM 研究 Ag(110) 上的氧气吸附,”超显微镜检查 42-44 (1992)。
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
K.Motai,T.Hashizume,D.Jeon,H.Lu,K.Tanaka,T.Sakurai,: "¨FI-STM study of sulfur/chlorine adsorption on the Cu(111)1x1surface,¨" Jpn.J.Appl.Phys.Lett. 31. 874-876 (1992)
K. Motai、T. Hashizume、D. Jeon、H. Lu、K. Tanaka、T. Sakurai,:““Cu(111)1x1 表面硫/氯吸附的 FI-STM 研究,”Jpn.J。应用物理学快报 31. 874-876 (1992)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
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- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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- 影响因子:4.7
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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