Anisotropie der optischen und elektronischen Eigenschaften von epitaktischen Siloxenschichten auf Silicium

硅上外延硅氧烷层的光学和电子特性的各向异性

• 批准号: 5236658
• 负责人: Professor Dr. Martin S. Brandt
• 金额: --
• 依托单位: Walter Schottky Institut für physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik (WSI)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Priority Programmes
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1994-12-31 至 2001-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5236658?language=en
• 关键词: Anisotropie; der; optischen; und; elektronischen

Nachdem in den vergangenen Förderperioden die Entwicklung dünner epitaktischer CaSi2- und Siloxenfilme auf Siliciumsubstraten und die Charakterisierung der vibronischen Eigenschaften des Schichtpolymers Siloxen im Vordergrund standen, sollen nun spezifische Fragen bezüglich der optischen und elektronischen Eigenschaften bearbeitet werden. Dazu zählen die Charakterisierung der Anisotropie des Brechungsindex sowie der Versuch, stimulierte Emission zu erzeugen. Die Art der Bindung zwischen benachbarten Siloxenebenen soll sowohl experimentell wie theoretisch untersucht werden. Schließlich sollen ausgehend von epitaktischen Siloxenschichten auf Si-Substraten Leuchtdioden mit verbesserter Effizienz hergestellt werden.

随后，在对硅衬底上的CaSi 2-和Siloxenfilme的外延生长进行研究的过程中，以及在前级水平上的Schichtpolymers Siloxen的振动特性的研究中，解决了特定的光学和电子特性的问题，即韦尔登特性。本文研究了Versuch的Brechungsindex各向异性的特征，刺激了发射。硅橡胶的粘合工艺必须通过实验才能得到韦尔登结果。Schließlich sollen ausgethire von epitaktischen Siloxenschichten auf Si-Substraten Leuchtdioden mit verbesserter Effizienz hergestelt韦尔登.