Anisotropie der optischen und elektronischen Eigenschaften von epitaktischen Siloxenschichten auf Silicium

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Nachdem in den vergangenen Förderperioden die Entwicklung dünner epitaktischer CaSi2- und Siloxenfilme auf Siliciumsubstraten und die Charakterisierung der vibronischen Eigenschaften des Schichtpolymers Siloxen im Vordergrund standen, sollen nun spezifische Fragen bezüglich der optischen und elektronischen Eigenschaften bearbeitet werden. Dazu zählen die Charakterisierung der Anisotropie des Brechungsindex sowie der Versuch, stimulierte Emission zu erzeugen. Die Art der Bindung zwischen benachbarten Siloxenebenen soll sowohl experimentell wie theoretisch untersucht werden. Schließlich sollen ausgehend von epitaktischen Siloxenschichten auf Si-Substraten Leuchtdioden mit verbesserter Effizienz hergestellt werden.