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シンクロトロン放射光トポグラフィによる格子欠陥の構造と挙動に関する研究計画立案

シンクロトロン放射光トポグラフィによる格子欠陥の構造と挙動に関する研究計画立案
利用同步辐射地形图研究晶格缺陷的结构和行为
批准号:
02352006
负责人:
本堂 武夫
金额:
$0.7万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --

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项目成果

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本総合研究は,格子欠陥研究の強力な研究手段として期待されているシンクロトロン放射光トポグラフィを有効に活用するために,広範な格子欠陥研究者とX線回折研究者による共同研究体制と共同研究課題を検討することを目的として行われた。まず,今まで個別に行われてきた研究の総括を通じて,格子欠陥研究におけるシンクロトロン放射光トポグラフィの有用性と間題点を明らかにした(平成2年9月東京,19名出席)。つづいて,この格討結果を踏まえて,次世代の大型放射光源を利用するX線トポグラフィはいかにあるべきか,という観点から以下の4つの検討課題毎に検討を進めた。(1)高分解能リアルタイム・トポグラフィ:従前の方法では完全性の高い結晶にしか適用できないが,分解能を向上させれば,その適用範囲は大幅に広がる。次世代の高輝度X線源とウィ-クビ-ム法によって,これが可能であるとの結論に達した。(2)精密X線光学系トポグラフィ:次世代の高輝度X線源の利用によって,平面波トポグラフィを汎用技術として使えるようになるばかりでなく,さらに精密な回折実験,微小欠陥の解析が可能になる。(3)散乱ラジオグラフィ:結晶評価を一般化するために散乱ラジオグラフィは大いに期待される手法であり,次世代光源の利用によって,これが極めて短時間に,高分解能で可能であるとの見通しを得た。(4)高エネルギ-X線トポグラフィ:次用代光源の高エネルギ-X線の利用は,トポグラフ研究に新たな側面を拓くが,同時にバックグランドの除去という難問があり,なお検討の必要がある。これらの検討課題および個別研究課題の発表討論会を平成3年1月つくば市において30名の参加者を得て開催された。一連の活動については,研究報告書としてまとめた。
期刊论文(6)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Y.Chikaura and M.Imai: "Morphology of microdefects in asーgrown thinned silicon crystals observed by synchrotron Xーradiation planeーwave topography" Jpn.J.Appl.Phys.29. 221-225 (1990)
Y.Chikaura 和 M.Imai:“通过同步加速器 X 辐射平面波形貌观察生长的薄硅晶体中微缺陷的形态”Jpn.J.Appl.Phys.221-225 (1990)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
T.Hondoh,R.Hoshi,A.Goto and H.Yamagami: "A new method using synchrotronーradiation topography for determining pointーdefect diffusivity under hydrostatic pressure" Philosophical Magazine Letters. 63. 1-5 (1991)
T.Hondoh、R.Hoshi、A.Goto 和 H.Yamagami:“使用同步辐射地形学确定静水压力下点缺陷扩散率的新方法”《哲学杂志快报》63. 1-5 (1991)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
K.Izumi,M.Kondo,M.Matsushita and A.Ishizawa: "Lattice defects in diacetylene single crystals" Defect Control in Semiconductors. 1653-1658 (1990)
K.Izumi、M.Kondo、M.Matsushita 和 A.Ishizawa:“丁二炔单晶中的晶格缺陷”半导体中的缺陷控制。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
T.Fukumori and K.Futagami: "An Xーray monochromator system using successive reflection and its application to measurements of diffraction curves of annealed GaAs wafers" J.Applied Crystallography. 22. 334-339 (1989)
T.Fukumori 和 K.Futagami:“使用连续反射的 X 射线单色仪系统及其在退火 GaAs 晶片衍射曲线测量中的应用”J.Applied Crystallography 22. 334-339 (1989)。
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
6
    極地氷床における安定同位体の再分配過程の解明
    • 批准号:
      06F06317
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for JSPS Fellows
    • 资助金额:
      $1.54万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      本堂 武夫
    • 依托单位:
    氷の物性と氷床変動研究
    • 批准号:
      10204201
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (B)
    • 资助金额:
      $41.15万
    • 财政年份:
      1998
    • 负责人:
      本堂 武夫
    • 依托单位:
    X線散乱トポグラフ法による金属人工格子の構造評価に関する研究
    • 批准号:
      03240201
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $1.79万
    • 财政年份:
      1991
    • 负责人:
      本堂 武夫
    • 依托单位:
    走査型X線トポグラフによる金属人工格子の構造評価に関する研究
    • 批准号:
      02254201
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
    • 资助金额:
      $1.02万
    • 财政年份:
      1990
    • 负责人:
      本堂 武夫
    • 依托单位:
    海外基金