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新しい磁気記録媒体の試作と特性

新型磁记录介质的原型及特点

基本信息

批准号：
02650218
负责人：
高橋隆一
金额：
$ 1.41万
依托单位：
University of Toyama
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、よりプラズマフリ-の状態で膜を形成するため、現在使用中のトロイダルプラズマ式スパッタ装置のプレ-ナリングタ-ゲット(以下タ-ゲットとする)電極を改良した。磁界の発生にはNdFeB永久磁石を用い、タ-ゲットの中心と外周に配置した。当初、タ-ゲットに純度99.9%,3mm厚のNdFeB合金を用いる予定であったが、作製が困難で価格が高いためにFeタ-ゲット上にNd,Bのチップを配置した同時スパッタ法を採用した。手初めとして、Arガス中でFeタ-ゲットを装着したときの装置の放電およびスパッタ特性を直流電力計を併用して測定した。新たな知見としは、まず磁石の材質・配置を変えたためにタ-ゲット上の平行な磁界成分が強くなり、高エネルギ-γ電子のサイクロイド運動がタ-ゲット全面で活発になり、封じ込めが完全になる。そのためにより低Arガス圧まで放電が持続すると考えていたが、実際には10mTorrであり、γ電子の封じ込めが磁界の水平成分の大小に依存しないことが明確になった。そこで電磁石で磁界を発生させ、タ-ゲット面に平行並びに垂直な磁界成分の働きをCoーCr,NiFe,CoZrNbなどのタ-ゲットを用いて調べた。その結果、垂直成分が平行成分よりも、つまりはγ電子の螺旋運動がサイクロイド運動よりも雰囲気ガスの電離に重要な働きをすることが明らかにされた。しかし、従来法よりはタ-ゲットの浸蝕領域が広くなり、安定な放電が持続し、タ-ゲット印加電圧が250Vと非常に低下した。このことは、垂直な磁界成分が増加するように磁石を配置すれば、高エネルギ-γ電子の封じ込めが強くなり、よりプラズマフリ-の状態で膜が形成できると考えてよい。また、プラズマポテンシャル測定装置を用いてタ-ゲット付近のプラズマポテンシャルを測定した結果、トロイダルプラズマの形成が確認された。今後、プラズマと膜の構造・特性との関係並びに記録媒体としての可能性について調べる。

In this study, the film was formed in the state of being in use and the electrode was improved. The magnetic field of NdFeB permanent magnets is formed in the center and periphery of the magnet. At the beginning, the purity of Nd,B is 99.9%, and the thickness of NdFeB alloy is 3 mm. In the beginning, the Fe content of the device was measured by DC power meter. New knowledge of the material and configuration of the magnet, the magnetic field component on the magnetic field, the magnetic field component on the magnetic field component, the magnetic field component on the magnetic field component, the magnetic The magnetic field is composed of the following components: low Ar and low Ar, high Ar and low Ar. The magnetic field of the electromagnet is generated in parallel and perpendicular to the magnetic field. The composition of the electromagnet is Co Cr,NiFe,CoZrNb. As a result, vertical components, parallel components, helical motion of gamma electrons, ionization of gamma electrons, and ionization of gamma electrons are important. The voltage is 250V, which is very low. The magnetic field composition increases, and the magnetic field density increases. The results of the tests were confirmed. In the future, the relationship between the structure and characteristics of the film and the possibility of recording the medium will be adjusted.