新しい磁気記録媒体の試作と特性

新型磁记录介质的原型及特点

基本信息

批准号：
02650218
负责人：
高橋隆一
金额：
$ 1.41万
依托单位：
University of Toyama
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
起止时间：
1990 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、よりプラズマフリ-の状態で膜を形成するため、現在使用中のトロイダルプラズマ式スパッタ装置のプレ-ナリングタ-ゲット(以下タ-ゲットとする)電極を改良した。磁界の発生にはNdFeB永久磁石を用い、タ-ゲットの中心と外周に配置した。当初、タ-ゲットに純度99.9%,3mm厚のNdFeB合金を用いる予定であったが、作製が困難で価格が高いためにFeタ-ゲット上にNd,Bのチップを配置した同時スパッタ法を採用した。手初めとして、Arガス中でFeタ-ゲットを装着したときの装置の放電およびスパッタ特性を直流電力計を併用して測定した。新たな知見としは、まず磁石の材質・配置を変えたためにタ-ゲット上の平行な磁界成分が強くなり、高エネルギ-γ電子のサイクロイド運動がタ-ゲット全面で活発になり、封じ込めが完全になる。そのためにより低Arガス圧まで放電が持続すると考えていたが、実際には10mTorrであり、γ電子の封じ込めが磁界の水平成分の大小に依存しないことが明確になった。そこで電磁石で磁界を発生させ、タ-ゲット面に平行並びに垂直な磁界成分の働きをCoーCr,NiFe,CoZrNbなどのタ-ゲットを用いて調べた。その結果、垂直成分が平行成分よりも、つまりはγ電子の螺旋運動がサイクロイド運動よりも雰囲気ガスの電離に重要な働きをすることが明らかにされた。しかし、従来法よりはタ-ゲットの浸蝕領域が広くなり、安定な放電が持続し、タ-ゲット印加電圧が250Vと非常に低下した。このことは、垂直な磁界成分が増加するように磁石を配置すれば、高エネルギ-γ電子の封じ込めが強くなり、よりプラズマフリ-の状態で膜が形成できると考えてよい。また、プラズマポテンシャル測定装置を用いてタ-ゲット付近のプラズマポテンシャルを測定した結果、トロイダルプラズマの形成が確認された。今後、プラズマと膜の構造・特性との関係並びに記録媒体としての可能性について調べる。

在这项研究中，我们改善了旋转等离子体溅射装置的平面目标（以下称为目标），以便以更无等离子体的状态形成膜。使用永久性NDFEB磁铁生成磁场，并将其放置在目标的中心和外围。最初，纯度为99.9％且厚度为3mm的NDFEB合金计划针对该目标，但是由于制造和高价的困难，采用了同时的溅射方法，其中ND和B芯片在FE目标上放置。首先，使用直流电表测量了将Fe目标连接到AR气体中时设备的放电和溅射特性。新发现是改变了磁体的材料和排列，目标上的平行磁场成分变得更强大，从而导致高能-γ电子的循环运动在整个目标中变得活跃，从而导致完全遏制。人们认为排放量将持续到低AR气压，但实际上是10毫升的，这清楚地表明，γ电子的遏制并不取决于磁场的水平分量的大小。因此，使用电磁场生成磁场，并使用Co-CR，Nife和CozrnB等目标研究了磁场成分的功能。结果，揭示了垂直分量比平行分量更重要，即γ电子的螺旋运动在大气气体的电离中起着重要的作用，而不是clicloid运动。但是，目标侵蚀面积比常规方法宽，保持稳定的排放，并且施加的电压显着下降至250V。可以认为，如果排列磁铁，以使垂直磁场成分增加，则高能电子的遏制将更强，并且可以以更无等离的状态形成膜。此外，使用等离子体电位测量装置测量了目标附近的等离子体电势，并确认了环形血浆的形成。将来，我们将研究等离子与胶片的结构和特性之间的关系，以及录制媒体的可能性。