Pressure and temperature dependent studies of the nitrogen-induced band formation and the band structure of (Ga, In)(N, As) semi-conductor structures by optical spectroscopy

通过光谱法研究氮诱导能带形成和 (Ga, In)(N, As) 半导体结构的能带结构

• 批准号: 5243462
• 负责人: Professor Dr. Peter J. Klar
• 金额: --
• 依托单位: I. Physikalisches Institut
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5243462?language=en
• 关键词: Pressure; temperature; dependent; studies; nitrogen

Das Materialsystem (Ga,In)(N,As) ist ein attraktives neues Material sowohl als aktives Material in Infrarotlasern für die optische Telekommunikation als auch als Schichtmaterial für Tri- und Tandemsolarzellen auf III-V Basis für Anwendungen in der Raumfahrt. Bisher wurde sehr viel Forschungsarbeit zum Wachstum von (Ga,In)(N,As) kristallinen Schichten geleistet, aber die elektronische Bandstruktur ist noch sehr wenig untersucht und verstanden. Solche Untersuchungen sind von fundamentaler Bedeutung, wenn man auf dem Materialsystem basierende Geräte für technische Anwendungen optimieren will. Von Vorarbeiten am ternären Ga(N,As) ist bekannt, daß die elektronische Bandbildung von der in amalgamartigen Mischkristallen stark abweicht, was auf den isoelektronischen Störstellencharakter von N in GaAs zurückzuführen ist. Ziel des Projektes ist es, die Besonderheiten der elektronischen Bandbildung in (Ga,In)(N,As) zu verstehen. Dazu sollen optische spektroskopische Untersuchungen an einkristallinen (Ga,In)(N,As) Schichten und (Ga,In)(N,As)/GaAs Quantenschichtstrukturen unter hydrostatischem Druck im Temperaturbereich von 2 K bis 300 K durchgeführt werden. Weiterhin sollen die für die Anwendungen wichtigen Parameter zur Temperatur- und Druckabhängigkeit der Bandlücke bestimmt werden.

（Ga，In）（N，As）材料体系是一种具有吸引力的新材料，也是红外光学通信中的活性材料，它也是III-V族基的三层和串联太阳能电池材料。在（Ga，In）（N，As）晶体管中的研究已经很多了，但是电子能带结构仍然很好地理解和理解。Solche Untersuchungen sind von fundamentaler Bedeutung，wenn man auf dem Materialsystem basierende Geräte für technische Anwendungen optimizen will.在Ga（N，As）中间体中，由于混合物中的电子能带结构的差异，N在GaAs中的等电子流特性是明显的。这些项目是对（Ga，In）（N，As）电子能带的研究。在韦尔登2 K ~ 300 K的流体静力学实验条件下，我们研究了（Ga，In）（N，As）晶体和（Ga，In）（N，As）/GaAs量子点结构的光学光谱特性。Weiterhin sollen die für die Anwendungen wichtigen Parameter zur Temperatur- und Druckabhängigkeit der Bandlücke bestimmt韦尔登.