スピン偏極STMによる極微細磁気構造の研究に関する企画調査

自旋极化STM超细磁结构研究规划调查

• 批准号: 03352022
• 负责人: 武笠 幸一
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
• 财政年份: 1991
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1991 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03352022/
• 关键词: 電子スピン偏極; STM; 極微細磁気構造; 光励起化合物半導体

本総合研究は、スピン状態の検出出来る機能を有する走査型トンネル顕微境(STM)の開発を目指し、個別に今迄行われてきた研究あるいは蓄積されてきた技術を総括、技術調査、討論ならびにこれに基づく基礎実験を通して問題点を明らかにすることを目的として行われた。平成3年9月26日、研究集会を北大百年記念会館にて開催、以下のテ-マについての講演ならびに活発な討論が参加者約30人で行われた。(1)本研究グル-プの目票、研究活動状況、(2)Strained GaAsによるスピン偏極電子源、(3)X線共鳴時期散乱によるスピン状態の分光法、(4)極微細磁気構造の研究の現状、(5)スピン偏極電界放射顕微鏡・スピン偏極走査型トンネル顕微鏡、(6)スピン計測研究の展開と今後の展望この様な基礎的議論が基となり、次の実験的研究が可能になった。1)探針のスピン偏極状態を測定するための電界放射電子スピン偏極度測定装置の開発研究2)化合物半導体光励起電子のSTMトンネル接合による観測1)の研究では、従来型の大型モット分析器に代わって、小型低速電圧型モット分析器を独自のシミュレ-ション結果に基づき設計、製作し、また同時に静電レンズ系の作製についても行ってきた。現在、GaAs光電子、遷移金属電界放射電子のスピン偏極度測定の実験が進行中である。2)の項目に関しては励起用光学系、円偏波変調光学系、STM用IーV測定システムを作製し、W探針によりGaAs大気中へき開表面のIーV測定による励起時のトンネル電流の変化を観測している。以上を行うことにより相互の技術情報、アイディアの交換並びに学際領域を総合した研究の重要性が強く認識され、今後本総合研究が基になりこの傾向ならびに活動はさらに展開・発展していくものと考えられる。一連の活動については研究報告書としてまとめた。

This integrated study includes the following functions: exploration, development, individual research, accumulation, technical survey, discussion, and basic research. On September 26, 2003, a seminar was held at Peking University Centennial Hall. About 30 participants attended the seminar. (1)The present research project, research activity status,(2)Strained GaAs polarized electron source,(3) Spectroscopic method for X-ray resonance scattering,(4) Research status of fine magnetic field structure of fine dust,(5) Microscope for polarized electron field emission,(6) Discussion basis for development and future prospects of measurement research, The research of the second time is possible. 1)2) Measurement of electron polarization of compound semiconductor photoexcited electron junction 1) Research on the design, fabrication and operation of electrostatic polarization system for large and small scale semiconductor analyzers. At present, GaAs photoelectron, transfer metal field emission electron polarization measurement is in progress. 2) Related items: excitation optical system, polarization modulation optical system, STM I-V measurement system, W probe, GaAs high-voltage medium, open surface I-V measurement, excitation current variation measurement. The importance of mutual technical information, exchange of information and research in the field of interdisciplinary research is strongly recognized, and the trend of future research in the field of interdisciplinary research will be developed. A series of activities to study the report