パルスレーザーアブレーションによる酸化物超伝導体薄膜の形成
パルスレーザーアブレーションによる酸化物超伝導体薄膜の形成
批准号:
03750002
负责人:
江龍 修
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
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会议论文
皮膚の湿度を解析するためのピエゾエレクトリックセンサの開発
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批准号:14F04812
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.47万
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财政年份:2014
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负责人:江龍 修
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依托单位:
単結晶刀具の為のSiC結晶成長の研究
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批准号:20656025
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$1.73万
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财政年份:2008
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负责人:江龍 修
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依托单位:
レーザード-ピング法による高品位赤外発光Si基板の形成
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批准号:08750364
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1996
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负责人:江龍 修
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依托单位:
希土類元素添加赤外発光シリコン中の酸素原子挙動
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批准号:07855037
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1995
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负责人:江龍 修
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依托单位:
希士類元素パルスレーザード-ピングSiの高温短時間熱処理による高輝度発光化
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批准号:06750317
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1994
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负责人:江龍 修
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依托单位:
イオンビーム誘起高密度電子励起結晶構造変化
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批准号:05855001
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1993
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负责人:江龍 修
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依托单位: