レーザード-ピング法による高品位赤外発光Si基板の形成

激光掺杂法形成高级红外发射硅衬底

• 批准号: 08750364
• 负责人: 江龍 修
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1996
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1996 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-08750364/
• 关键词: レーザード-ピング; 半導体シリコン(Si); 希土類元素エルビウム(Er)

高速赤外光通信用の赤外発光素子の形成を目刺し、半導体シリコン(Si)に希土類元素エルビウム(Er)をド-ピングした、高効率の発光デバイス基板の形成を試みた。レーザード-ピング法及びイオン注入法を用い、以下に示す新しい成果を得た。特にレーザード-ピング法においては、本年度の文部省科学研究費補助金により購入したレーザービームホモジナイザを用いることによって、多くの成果を得ることが出来た。1.本年度購入したレーザービームホモジナイザを用いることにより、従来問題となっていたド-ピング領域の基板表面の荒れが、SEMレベル(1nm)の観察条件において、観測されなくなった。本結果はレーザード-ピングプロセスのデバイス化応用という観点から、極めて重要な成果である。2.Molecler Beam Deposition(MBD)法とレーザービームホモジナイザを用いたレーザード-ピング法により、Erド-ピング量を正確に制御することが可能となった。表面近傍100nm以内の浅い領域へのEr箱型ド-ピングに成功した。3.レーザード-ピング法により得られたErド-ピング基板を用いて、直流及び交流電流励起によるEr発光デバイスの試作に初めて成功した。電流密度の増大に伴ない発光強度が増大することを初めて確認した。交流励起においては1kHz程度の発光を確認している。4.イオン注入法により、正確にEr原子及び酸素原子濃度を制御することにより、単一発光センターの形成に成功した。イオン注入法を用いた場合、Er発光センターが存在している領域の結晶性が、レーザード-ピング法を用いた場合に比較して低い(RBS Channelingのχminが約50%。レーザード-ピング法で20%以下)。この観点からもレーザード-ピング法を用いることが、デバイス化応用を考えた場合有利となる。

High speed infrared optical communications for the formation of infrared light emitting elements, semiconductor silicon (Si), rare earth elements (Er), high-efficiency semiconductor substrate formation test The following is a summary of the results obtained by using the new method and the new injection method. The Ministry of Education's scientific research grant for the year was awarded to the Ministry of Education for the purpose of research and development. 1. This year's purchase of the first batch of the first batch of the first The results of this study are very important. 2. Molecler Beam Deposition(MBD) is a method of accurately controlling the amount of particles in a particle. The surface of the shallow area within 100nm Er box-type successfully 3. The first attempt was successfully made by using direct current and alternating current excitation. The increase in current density is accompanied by an increase in luminous intensity. AC excitation starts at 1kHz and light emission is confirmed. 4. The formation of the light emitting layer was successfully controlled by the injection method. The crystallinity in the region where Er emission is present is lower than that in the case where Er emission is used (RBS Channeling χmin is about 50%). The percentage is 20% or less. This is the first time I've ever seen a person who's been in a relationship with someone who's been in a relationship with someone else.

项目成果

K.Nakashima: "Optical Centers Related to Laber-Doped Erbium in Silicon" Mat.Res.Soc.Symp.Proc.422. 75-80 (1996)

K.Nakashima：“与硅中掺铒相关的光学中心”Mat.Res.Soc.Symp.Proc.422。

O.Eryu: "Formation of an Ohmic Electrode in SiC using a pulsed laser irradiation method." Nuclear Inst.and Methods in Rhys.Res.B. (to be published). (1997)

O.Eryu：“使用脉冲激光照射方法在 SiC 中形成欧姆电极。”