単結晶刀具の為のSiC結晶成長の研究

单晶刀具用SiC晶体生长研究

基本信息

  • 批准号:
    20656025
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度は1:単結晶材料の非劈開性の史なる向上、2:曲面形状刃先のCMP手法の確立、3:高反応性材料(主にチタン(Ti))との低接触抵抗加工の実現を目的とした。1:及び2:非劈開性と曲面形状研磨研究を進めていく間に、刃先のチッピングとCMP研磨仕上がり状態とに強い相関関係があることを見出した。単結晶材の被加工性をダイヤモンド砥石による加工抵抗により観察した結果、ドーピングによって加工抵抗が2倍以上高くなる事を見出した。しかし、チッピング特性は向上しなかった。新規に開発した曲面CMP手法によってすくい面のみではなく逃げ面のCMP加工が可能となった。その結果、チッピング耐性が劇的に向上し、3:に示すTi材の薄線加工が可能となった。3:Ti材の低接触抵抗加工の実現上記研究成果により、純Ti並びにβTiを切削速度80m/min、切り込み量0.3mmで切り屑排出量382cc/minを実現出来た。刃先の鋭利化のみではなく、刃先まで単結晶性状となっていることが最も重要であった。Ti用として市販されている超硬チップとの比較では、刃先が欠けるまでの比較において、平均で1.5倍以上の耐力を得ている。本研究期間内においては化学反応性を評価する手法の開発までには至らなかったが、切り込み深さ3μm、切削速度20m/minにおいて全く切断しない切り屑を排出することが出来た。被切削材表面は、加工直後の体感によれば室温を維持しており、薄片状の切り子が加工硬化を生じていないことから、切削抵抗を極めて小さい状態にすることが出来ていると考える。今後は更に研究を進め、切削加工における刀具と材料との化学反応状態を定量評価したい。
This year, the following objectives were achieved: 1. the development of non-cleavage properties of single crystalline materials; 2. the establishment of CMP techniques for curved edge; 3. the realization of low contact resistance processing for high reflectivity materials (Ti). 1: and 2: non-cleavage and curved surface shape grinding research progress, edge first, CMP grinding on the state, strong correlation relationship, see out The machinability of single crystalline materials was observed to be more than twice as high as that of single crystalline materials.しかし、チッピング特性は向上しなかった。The new CMP method for developing curved surfaces makes it possible to process curved surfaces The results show that the processing of thin lines of Ti materials is possible. 3: The realization of low contact resistance machining of Ti material is recorded in the above research results. The cutting speed of pure Ti and βTi is 80m/min, the cutting diameter is 0.3 mm, and the chip discharge is 382cc/min. The most important thing is to sharpen the blade first, and the most important thing is to crystallize the blade first. The endurance of Ti alloy is more than 1.5 times higher than that of Ti alloy. During the period of this study, the chemical reaction was evaluated. The cutting depth was 3μm, the cutting speed was 20m/min, and the cutting chips were discharged. The surface of the material to be cut is straight, the temperature is maintained, the flaky cutting material is hardened, the cutting resistance is extremely small, and the temperature is maintained. In the future, the chemical reaction state of cutting tools and materials will be quantitatively evaluated.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Effects of the Surface Condition of the Substrates on the Electrical Characteristics of 4H-SiC MOSFETs
衬底表面状况对 4H-SiC MOSFET 电特性的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Ohshima;S.Onoda;T.Kamada;K.Hotta;K.Kawata;O.Eryu
  • 通讯作者:
    O.Eryu
電気的特性に及ぼす表面原子ステップの影響
表面原子台阶对电性能的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中弥生;神田隆生;永利一幸;江龍修
  • 通讯作者:
    江龍修
単結晶Siウエハを用いたSiC基板のCMP加工
使用单晶硅片进行 SiC 衬底的 CMP 加工
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松嶋拓矢;永利一幸;江龍修
  • 通讯作者:
    江龍修
Siウエハを用いたSiC基板のCMPに及ぼすOの影響
O 对使用 Si 晶圆的 SiC 衬底 CMP 的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松嶋拓矢;永利一幸;江龍修
  • 通讯作者:
    江龍修
光励起を用いたSiC加工表面の非接触評価
使用光激励对 SiC 加工表面进行非接触式评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    西尾和真;永利一幸;江龍修
  • 通讯作者:
    江龍修
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