希土類元素添加赤外発光シリコン中の酸素原子挙動

稀土元素掺杂红外发射硅中氧原子的行为

• 批准号: 07855037
• 负责人: 江龍 修
• 金额: $ 0.51万
• 依托单位: Nagoya Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-07855037/
• 关键词: レーザード-ピング; Er発光

本研究では、半導体シリコン(Si)へ希土類元素Erのド-ピングを行ない、エルビウム(Er)と同時にド-ピングした酸素原子(O)の、1)Erドープ層の結晶性に対する影響、2)Er発光強度に対する影響を定量的に調べた。Erド-ピング法として、レーザード-ピング法ならびにイオン注入法を用いて比較検討を行なった。その結果、以下の点を明かにした。1.レーザード-ピング法によりErを、Siの結晶性を保持した状態で約1×10^<21>Er/cm^3の高濃度までド-ピングすることが可能である。2.イオン注入法でEr原子のみをド-ピングする場合、後熱処理によりイオン注入による結晶格子の欠陥を改悪させるためには、Er濃度は約5×10^<18>Er/cm^3以下である必要がある。3.ErとOを同時にド-ピングした場合、Er濃度を約1×10^<19>Er/cm^3までド-ピングを行なっても、ド-ピング領域の結晶性を後熱処理により回復させることが可能である。ただし、この時のO濃度の範囲は1×10^<19>O/cm^3〜1×10^<20>O/cm^3である。4.Er固有の波長である1.54μm近傍の発光強度が最大となったのはEr濃度が1×10^<19>Er/cm^3、O濃度が1×10^<20>O/cm^3場合であった。5.本年度科学研究費において備品購入したデジタルオシロスコープによりレーザード-ピング時のSi相変化を時間分解して直接測定することに成功した。Erド-ピング時のレーザー照射領域の溶融状態は、Erが存在しない時に比べて約2倍の時間存続していることが初めて明かになった。この相変化の長時間化により、レーザード-ピングにおける良好な結晶性が得られると考えられる。

In this study, rare earth elements Er rare earth elements (Si), rare earth elements (Er), rare earth elements (Er), acid atoms (O), (1) Er crystals, and (2) the quantitative measurements of Er light intensity were measured. The method of Er injection is better than that of other methods. Check the results, please click below to clarify the results. 1. The Er and Si crystals will remain in a state of about 1 × 10 ^ & the lt;21>Er/ cm ^ 3 high temperature temperature will affect the temperature that may occur. two。 The Er atom injection method is based on the combination of the atom temperature and the temperature field. After that, the structure of the crystal lattice is changed. The temperature of the Er is about 5 × 10 ^ & lt;18>Er/ cm ^ 3 or less. At the same time, the 3.Er system is closed, and the Er temperature is about 1 × 10 ^ & lt;19>Er/ cm ^ 3. The temperature is lower than that of the previous one. After the crystallization of the domain data, you may be affected. The temperature range is 1 × 10 ^ & lt;19>O/ cm ^ 3 ~ 1 × 10 ^ & lt;20>O/ cm ^ 3 temperature. The intrinsic wavelength of 4.Er is 1.54 μ m. The maximum optical intensity is 1 × 10 ^ & lt;19>Er/ cm ^ 3 and O is 1 × 10 ^ & lt;20>O/ cm ^ 3. 5. In this year's scientific research, the products were imported into the Si phase decomposition test directly to determine the success of the test. The time limit of Er and Er is about 2 times as long as that of melts in the field. It is necessary to change the temperature and temperature for a long time, and the results show that the crystal properties are good.

项目成果

Osamu Eryu: "'Formation of a p-n junction Silicon Carbide by Aluminum doping・・・'" Applied Physics Letters. 67. 2052-2053 (1995)

Osamu Eryu：“‘通过铝掺杂形成 p-n 结碳化硅......’”《应用物理快报》67。2052-2053 (1995)。

Osamu Eryu: "'Formation of a p-n junction and electrode in Silicon Carbide at room temperature using a pulsed laser loping method'" Proceedings of the 14th synposium on materials Science and Engineering res. center of Ion Beam Tiec.14. 141-146 (1996)

Osamu Eryu：“‘在室温下使用脉冲激光 Loping 方法在碳化硅中形成 p-n 结和电极’”第 14 届材料科学与工程研究研讨会论文集。