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新機能電子材料創出のための極低エネルギ-原子流堆積装置の試作

用于创建新型功能电子材料的超低能原子流沉积装置原型

基本信息

批准号：
03555077
负责人：
石井清
金额：
$ 4.86万
依托单位：
Utsunomiya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、低エネルギ-原子流堆積装置を設計・製作しその動作を確認することを目指した。1.設計のために低エネルギ-原子流の生成について理論的に考察した。(1)アルゴンガス中の金属・半導体原子について、原子がその運動エネルギ-を失う過程を計算機シミュレ-ションにより検討した。その結果、ガスの圧力は0.5から10Torr、ガスの流速は数十m/secにおいて、100eVの高エネルギ-の原子も完全に熱化し0.1eV以下の低エネルギ-になることが分かった。(2)原子流の安定性について気体分子理論により検討したところ、(1)の条件下で金属原子の濃度が10^<12>cm^<-3>以下の時、低エネルギ-原子の流れを数cm以上安定に輸送できることが分かった。(3)拡散過程を検討することにより、低エネルギ-原子を堆積させて応用上の薄膜作製を行うためには、ガスの流れを利用しなければならないことが確かめられた。2.1.の結果をもとに実用的な低エネルギ-原子流堆積装置を製作した。装置の主な特性は次の通りである。(1)300Kから600K程度の熱エネルギ-(0.1eV以下の運動エネルギ-)をもった原子をかなり高速で堆積できる。(2)成膜面積は広く、直径5cmから15cmである。(3)2種類の物質を同じ成膜室で成膜できる。(4)超高真空のシステムであり、高純度の薄膜が作製できる。今後の課題として、本装置で種々の物質の薄膜を作製し、世界で唯一のこの成膜法で期待される効果の確認を行う予定である。

This study aims to confirm the design, fabrication and operation of a low-energy atomic flow deposition device. 1. Design and development of atomic flow (1)The metal and semiconductor atoms in the cluster are mixed together, and the motion of the atoms in the cluster is discussed. As a result, the pressure is 0.5 Torr, the flow velocity is tens of m/sec, and the atomic temperature is completely heated at a high temperature of 100 eV. (2)The stability of atomic flow is discussed in the molecular theory of particles. Under the conditions of (1), the concentration of metal atoms is less than 10 cm ^, and the stability of atomic flow is more than several cm.<12><-3>(3)The diffusion process is discussed in detail in the following paragraphs: 2.1. As a result, a low-energy atomic flow deposition device was fabricated. The main characteristics of the device are reversed. (1) Heat generation from 300 K to 600 K-(Motion generation below 0.1eV-) (2)Film area, diameter (3)2 The type of substance is the same as the film forming chamber. (4)Ultra-high vacuum system, high purity thin film production. The future problem is to prepare a thin film of a seed material in this device, and to confirm the expected results of the unique film formation method in the world.