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In situ observation of LPE growth process of aluminum nitride for understanding the dislocation formation mechanism

原位观察氮化铝的 LPE 生长过程以了解位错形成机制

基本信息

批准号：
23656475
负责人：
KOBATAKE Hidekazu
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011 至 2012
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656475/
关键词：
窒化物半導体窒化アルミニウム結晶成長その場観察 LPE成長 AlN

项目摘要

The growth process of AlN from Al-Ga flux at high temperature was observed in-situ. The dislocation formation, which leads to the formation of low quality AlN, is strongly dependent on the AlN nucleation process on the substrate. On the sapphire substrate, AlN crystals formed by heterogeneous nucleation. Each of the crystal, which has mismatched crystallographic orientation, grows by coalescence growth mechanism. This growth process resulted in low quality AlN crystal with high dislocation density. On the other hand, AlN crystals grow homo-epitaxially on the nitride sapphire substrate. And the coalescence growth was suppressed on the nitride sapphire. These growth mechanisms resulted in the high quality AlN formation on nitride sapphire substrate.

原位观察了高温下Al-Ga助熔剂中AlN的生长过程。位错的形成，导致低质量的AlN的形成，强烈地依赖于AlN在衬底上的成核过程。在蓝宝石衬底上，AlN晶体通过异质形核形成。每个晶体都是通过聚结生长机制生长的，它们具有不匹配的晶体取向。这种生长过程导致具有高位错密度的低质量AlN晶体。另一方面，AlN晶体在氮化物蓝宝石衬底上同质外延生长。氮化物蓝宝石的聚结生长受到抑制。这些生长机制导致在氮化物蓝宝石衬底上形成高质量的AlN。

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

アルミナの炭素熱還元挙動の温度依存性

氧化铝碳热还原行为的温度依赖性

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Adachi;K .Maeda;A. Tanaka;H. Kobatake;H. Fukuyama;柳沢雅広,齋藤美紀子,本間敬之;大内良晃　栗林一彦　M. S. Vijaya Kumar　永山勝久;柳沢雅広，齋藤美紀子，本間敬之;加藤三香子,小畠秀和,大塚誠,福山博之
通讯作者：
加藤三香子,小畠秀和,大塚誠,福山博之

Solution growth of AlN layer on nitrided sapphire substrate under normal pressure using Ga-Al binary flux

使用 Ga-Al 二元熔剂在常压氮化蓝宝石衬底上溶液生长 AlN 层

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Adachi;K. Maeda;A. Tanaka;D. Morikawa;K. Tsuda;H. Kobatake;M.Ohtsuka;H. Fukuyama
通讯作者：
H. Fukuyama

Homoepitaxial growth of AlN on nitrided sapphire by LPE method using Ga-Al binary solution

使用 Ga-Al 二元溶液通过 LPE 方法在氮化蓝宝石上同质外延生长 AlN

DOI：
10.1002/pssa.201001014
发表时间：
2011
期刊：
Physica Status Solidi A: Applied research
影响因子：
0
作者：
M. Adachi;K .Maeda;A. Tanaka;H. Kobatake;H. Fukuyama
通讯作者：
H. Fukuyama

Ga-Al液相成長AlNの転位解析および極性判定

Ga-Al液相生长AlN的位错分析和极性测定

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Adachi;K .Maeda;A. Tanaka;H. Kobatake;H. Fukuyama;柳沢雅広,齋藤美紀子,本間敬之;大内良晃　栗林一彦　M. S. Vijaya Kumar　永山勝久;柳沢雅広，齋藤美紀子，本間敬之;加藤三香子,小畠秀和,大塚誠,福山博之;石橋裕輔　栗林一彦　永山勝久;加藤晃，柳沢雅広，本間敬之;安達正芳,田中明和,森川大輔,津田健治,小畠秀和,大塚誠,福山博之
通讯作者：
安達正芳,田中明和,森川大輔,津田健治,小畠秀和,大塚誠,福山博之

Dislocation and polarity analysis of AlN layer grown from liquid phase epitaxy using Ga-Al flux

使用 Ga-Al 助熔剂液相外延生长 AlN 层的位错和极性分析