窒化スズ薄膜におけるエレクトロクロミック現象のメカニズム解明と表示素子への応用
窒化スズ薄膜におけるエレクトロクロミック現象のメカニズム解明と表示素子への応用
批准号:
03650532
负责人:
高井 治
金额:
$0.9万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
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窒化スズ薄膜は,反応性高周波イオンプレ-ティング装置および反応性高周波スパッタリング装置により作製した。原料には,高純度のスズと窒素ガスを使用し,これらをプラズマ中で化合させることにより,窒化スズを合成した。基板には,ガラス,ITOガラス,シリコン,ゲルアニウム等を用いた。作製膜の構造は非晶質であった。エレクトロクロミック(EC)現象は,硫酸ナトリウム水溶液の中で起こさせた。ポテンショスタット,周波数特性分析器,ダブルビ-ム分光光度計,パソコン等を用いて分極測定,界面インピ-ダンス測定および分光測定を行った。窒化スズ膜の元の色は褐色であるが,アノ-ド時では黒色に,カリ-ド時では黄色に変化し,黄色系【double arrow】黒色系の可逆的な呈色変化を示した。自作した赤外分光光度計により,着色膜を電位の関数として分析した。この際,基板にはシリコンを用いた。波数4600〜400cm^<-1>における透過率の測定結果,430cm^<-1>付近にSnーN結合に相当するピ-クが観測され,このピ-クは電位により変化しなかった。OH結合に相当するピ-クも観測された。透過率はカリ-ド状態では高くなり,アノ-ド状態では低下した。従来は500〜2500nmの範囲でEC現象が観測されていたが,今回2,5〜25μmの赤外域においてもEC現象が起きていることがはじめて明らかにされた。オ-ジェ電子分光分析によっては,電位による組成の大幅な変化は認められない。以上のことより,窒化スズ薄膜のEC現象のメカニズムとしては,単なるイオンの出入のみによる機構ではなく,窒化スズ自身の電子構造の変化に基づく機構が考えられる。表示素子への応用としては,対向電極,電解質等を変化させ,各種構造のECセルを試作し,評価を行った。この結果,電解質としては,過塩素酸リチウム/炭酸プロピレン非水溶液,基板としてはITOガラスが良好な特性を示した。
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会议论文
ナノ構造のためのソリューション・パルス・プラズマの診断
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批准号:07F07712
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.41万
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财政年份:2007
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负责人:高井 治
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依托单位:
ソリューションプラズマを用いたナノ微粒子高速合成
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批准号:07F07741
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.77万
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财政年份:2007
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负责人:高井 治
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依托单位:
医療用水・排水処理のためのプラズマ・電解複合処理システムの開発
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批准号:04F04372
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.54万
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财政年份:2004
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负责人:高井 治
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依托单位:
非晶質窒化炭素を用いた一酸窒素貯蔵バイオミメティックナノスキンの作製と評価
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批准号:16656225
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2004
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负责人:高井 治
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依托单位:
バイオミメティック・プロセスによるナノ細孔薄膜合成
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批准号:00F00087
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.28万
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财政年份:2000
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负责人:高井 治
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依托单位:
六方晶系および正方晶系窒化スズ薄膜の作製と基礎物性評価
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批准号:11875135
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1999
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:10137226
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1998
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:11124222
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1998
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负责人:高井 治
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依托单位:
プラズマプロセスを用いた炭素-窒素アロイングによる超硬質材料の開発
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批准号:09243220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.09万
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财政年份:1997
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负责人:高井 治
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依托单位:
反応性アークプラズマプロセスによる超高硬度窒化炭素の作製
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批准号:09875181
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1997
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负责人:高井 治
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依托单位:
銀-スズ合金の耐硫化性及び電気伝導性に対するスズの傾斜組成化効果
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批准号:08243229
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1996
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负责人:高井 治
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依托单位:
有機シリコン化合物を用いたプラズマCVDプロセスにおけるフリーラジカルの役割
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批准号:07217211
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.9万
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财政年份:1995
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负责人:高井 治
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依托单位:
有機シリコン化合物を用いたプラズマCVDプロセスにおけるフリーラジカルの役割
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批准号:06228216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:高井 治
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依托单位:
窒化インジウム薄膜を用いた全固体型エレクトロクロミック表示素子の開発
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批准号:60550226
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1985
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负责人:高井 治
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依托单位:
金属窒化物半導体のエレクトロクロミック現象と表示素子への応用に関する研究
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批准号:58550208
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1983
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负责人:高井 治
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依托单位:
マイクロ波プラズマ蒸着法によるInNの作製
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批准号:57750236
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.42万
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财政年份:1982
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负责人:高井 治
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依托单位:
低温プラズマ法により作製したInNの基礎的物性の研究
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批准号:56750470
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:高井 治
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依托单位:
液中放電によるSiCの作製
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批准号:X00210----575182
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1980
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负责人:高井 治
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依托单位:
金属材料の腐食におよぼす磁場の影響
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批准号:X00210----475567
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1979
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负责人:高井 治
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依托单位:
低温プラズマによる金属-液晶複合素子の開発
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批准号:X00095----365258
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.29万
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财政年份:1978
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负责人:高井 治
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依托单位:
海外基金