Realstruktur von (Si, Ge)-Mischkristallen in Abhängigkeit von den Züchtungsbedinungen beim tiegelfreien Float Zone-Verfahren

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In der ersten Projektphase wurden in Ergänzung zu röntgenographischen Untersuchungen, bei denen die laterale Auflösung unter den gegebenen experimentellen Bedingungen der Transmission von Lang-Topogrammen auf ca. 100 µm begrenzt ist, zur Charakterisierung von (Si,Ge)-Einkristallen elektronenmikroskopische Abbildungs- und Analyseverfahren eingesetzt, mit denen die Makro- und Mikrosegragation in den Kristallen charakterisiert sowie Fremdphasen im nm-Bereich nachgewiesen wurden. Außerdem wurde in (Si, Ge)-Einkristallen nach Temperung im Unterschied zum Si-Ausgangsmaterial eine Abhängigkeit des Sekundärelektronenkonstrastes im Rasterelektronenmikroskop vom lokalen Sauerstoffgehalt beobachtet, deren Ursache noch näher durch Temperexperimente untersucht werden muß. Um die Ursachen der Bildung der Fremdphasen im nm-Bereich zu ermitteln sowie die durch Mikrosegregation hervorgerufenen lokalen Konzentrationsunterschiede qunatitativ zu analysieren, werden die Elektronenenergieverlustspektroskopie (EELS), die energiegefiltere Transmissionselektronenmikroskopie (EFTEM) und die Methode der konvergenten Beugung (CBED) eingesetzt.