权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

シリコン・ゲルマニウム規則混晶からの光第二高調波発生に関する研究

硅-锗有序混晶光学二次谐波产生研究

基本信息

批准号：
08650005
负责人：
矢口裕之
金额：
$ 1.41万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
1996
资助国家：
日本
起止时间：
1996 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

Si分子線セルの検討固体ソースSi分子線エピタキシャル成長では,従来Siを蒸発させる手段として電子銃加熱が用いられてきたが成長速度の安定性に問題があり,成長速度の制御も容易ではない。そこでこれに代わる方法として,高温まで使用可能なSi分子線セルを用いてSiGeヘテロ構造の作製を行った。Si分子線セルは1350〜1650℃の範囲で使用した。これは5×10^<-3>〜0.5Å/secの成長速度に対応し、2桁にわたって成長速度の制御が可能であることがわかった。分子線セルでは成長速度の制御性が高く,本研究で対象とする短周期超格子構造の作製に最適な成長技術を確立することができた。Si/Ge短周期超格子からの光第二高調波発生SiおよびGeは反転対称性を有するため双極子近似による光第二高調波発生は禁止されているが,奇数原子層からなるSi_nGe_n超格子においては反射対称性が崩れるための光第二高調波発生が期待される。本研究ではSi(111)基板上にSi_3Ge_3超格子を作製し、光第二高調波の測定を行い,超格子からの寄与と考えられる光第二高調波発生を初めて観測した。この試料を850℃でアニールすると光第二高調波の強度が急激に減少した。これはアニールによって原子の拡散が起こり、超格子構造が壊れたためと考えられる。比較のために反転対称性を有するSi_4Ge_4超格子で同様の測定を行った結果,光第二高調波の強度は弱く,アニールによる強度変化はほとんどなかった。しかたがってこの場合の光第二高調波は表面からの寄与によると考えられる。今後は,成長中に形成される規則混晶からの光第二高調波発生について研究を進めたいと考えている。

The Si molecular wire has grown into a solid state, and the Si molecular wire has grown into a solid state. It is easy to control the growth rate and the stability of the growth rate. The そこでこれにgeneration わる method is として, the high temperature まで can be used なSi molecular line セルを is made of いてSiGe ヘテロ structured を行った. Si molecular wires are suitable for use within the range of 1350~1650℃.これは5×10^<-3>~0.5Å/secのgrowth speedに対応し、2桁にわたってgrowth speedのcontrolがpossibleであることがわかった. The controllability of the molecular line's growth rate is high, and this research aims to establish the optimal growth technology for the short-period superlattice structure. Si/Ge short-period superlattice, the second high-key wave is produced. Stop されているが, odd atomic layer からなるSi_nGe_n super lattice においては reflection symmetry がcollapse れるための光からなるSi_nGe_n される. In this study, we fabricated Si_3Ge_3 superlattice on Si(111) substrate, measured the second high-frequency wave of light, and measured the second high-frequency wave of light in the superlattice. The intensity of the second high-modulated light wave of the sample was sharply reduced at 850°C.これはアニールによってatomic の拡sanがriseこり, superlattice structure が壊れたためと卡えられる. Comparison of the inverse symmetry of Si_4Ge_4 superlattice and measurement of the same properties As a result, the intensity of the second high-frequency wave of light is weak, and the intensity of the second high-frequency wave is changed.しかたがってこのoccasionの光second high-pitched wave はsurfaceからの发与によると卡えられる. From now on, the growing される regular mixed crystal からの光 second high-profile wave 発生について research を enter めたいとtest えている.