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ガリウム砒素リン系半導体超格子構造による高効率発光素子材料の実現

利用砷化镓磷化物基半导体超晶格结构实现高效发光器件材料

基本信息

批准号：
06650005
负责人：
矢口裕之
金额：
--
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究で取り扱った砒素リン系半導体超格子構造においては、ガリウム砒素に近い組成領域では室温でレーザ発振するほどの高品質なものが得られているが、ガリウムリンに近い組成領域では間接遷移型半導体であり、しかもバンドラインアップが、電子と正孔が別々に閉じ込められるようなタイプIIであるという実験結果があるために、高効率の発光材料としては適当ではないと考えられてきた。しかしながら、フォトリフレクタンス分光法およびフォトルミネッセンス分光法を用いることによって、ガリウムリン基板上に超格子構造を作製した場合には、ガリウムリン・ガリウム砒素リンヘテロ界面はどのような組成領域においてもタイプIとなることがわかった。さらに本研究によって、すべての組成領域において直接遷移エネルギーギャップ、間接遷移エネルギーギャップのどちらについてもタイプIヘテロ構造が実現されていることが初めて明らかになった。また、基板にガリウム砒素リンを用いて、ガリウム砒素・ガリウムリン超格子を作製し、どちらの層にも歪が加わるようにした。この場合、間接遷移バンドの縮退が解けてタイプIとタイプIIの両方のヘテロ構造が同時に存在するような極めて興味深い状況が実現することがわかった。実際に両方の光学遷移に対応するフォトルミネッセンスが観測され、発光寿命にもタイプIとタイプIIの違いが反映されることが明らかになった。以上、高効率にするために不可欠な基礎物性に関する十分な知見を得ることが出来た。

In this study, we selected the semiconductor superlattice structure, high quality semiconductor materials, high temperature semiconductor materials, high temperature semiconductor High efficiency light emitting materials are not suitable for use. In the case of manufacturing a superlattice structure on a substrate, the superlattice structure can be used to form an interface between the superlattice structure and the composition field. In this study, direct migration and indirect migration were carried out in the field of composition. For example, if the substrate is in the middle of the process, the substrate is in the middle of the process. In this case, the indirect migration of the two sides of the solution, the structure of the two sides of the solution, the existence of the two sides of the solution, the solution, the two sides of the solution, the solution, the solution In fact, the optical migration of the optical system is related to the measurement of the optical lifetime of the optical system. The above, high efficiency, high