気相成長ダイヤモンドにおける基板表面酸化層の影響

基体表面氧化层对气相生长金刚石的影响

基本信息

  • 批准号:
    05750061
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

低圧気相合成ダイヤモンドの核発生密度や成長速度は、基板の表面状態に大きく影響を受けることが知られている。特に、酸化物や炭化物を形成する基板では、極表面の酸化度、炭化度によりダイヤモンドの成長状態や核発生密度が顕著に異なる。そこで、Si基板を前処理として酸化や炭化させ、その基板上でのダイヤモンドの成長過程を観察検討した。Si基板上に存在する酸化層の除去は、HF溶液により行った。また、除去後のSiウエハを大気中で自然酸化させた試料を基板に用いた。酸化層の厚さを数百nm程度にするため、水蒸気雰囲気中で電気炉により熱酸化処理を施した。これらSi基板表面に存在する酸化層厚の異なるSi基板上にホットフィラメントCVD法によりダイヤモンドを合成した。基板の表面状態やダイヤモンド成長の観察は、SEMにより行った。合成前後の基板表面状態および基板内部の組成を検討するためにXPSにより分析した。XPSによりArスパッタリングで測定したSi基板のダイヤモンドの合成前後の深さ方向組成変化を考察すると、合成前のSi基板には表面付近に自然酸化層が存在するが、ダイヤモンド合成後には消滅することが分かる。酸化層の厚さに対するダイヤモンド核発生密度の関係を調べると、酸化層厚に対してダイヤモンドの核密度は、単調に増加するがその後急激に減少する。この実験結果からSi基板上でのダイヤモンド核形成には、数nm程度の酸化層厚が適していることが分かる。これまでの研究成果から基板の前処理として炭化することによってダイヤモンドの核形成に多大な影響があることが分かっている。ダイヤモンド合成前後のSi基板および炭化処理基板のSi_<2P>ピークを比較すると、ダイヤモンド合成基板と炭化処理基板の表面にはSiC層が存在し、よく似ていることが分かる。これらの結果から、ダイヤモンドの核発生には酸化層の存在とその後の反応による炭化層の形成が重要な働きをしていることが示唆された。
In the low temperature phase synthesis, the growth rate of nuclear density is very high, and the surface shape of the substrate is affected by the growth rate. The special and acidified carbonization compounds form the substrate, the acidity of the polar surface, the degree of carbonization and the growth density of the long nuclei. In the process of growth, the growth process of carbon dioxide on Si substrate is monitored. The presence of acidizing, removal, and HF solution on the Si substrate. After removal, the natural acidizing material is used in the Si substrate. The acidizing temperature is much thicker than several hundred nm, and the water steaming temperature is used in the thermal treatment of the electric furnace. On the surface of Si substrates, there is acidizing thickness, Si substrates, CVD methods, chemical synthesis. The surface state of the substrate is very sensitive to the growth of the substrate, and the SEM is in operation. Before and after synthesis, the surface shape of the substrate and the internal structure of the substrate were analyzed by XPS analysis. XPS was used to determine the depth of the Si substrate before and after synthesis. The composition of the Si substrate before and after synthesis was investigated. The surface of the Si substrate was close to the natural acidizing temperature. After acidizing, the density of nucleus, the density of nucleus and the density of nucleus. The results showed that the nucleation rate on the Si substrate was much higher than that of the control group, and the nm degree of acidification was much thicker. In this paper, the results of the research, the results of the research, the results of the Before and after the synthesis, the Si substrate, the carbonization substrate, the Si_<2P> substrate, the carbonization substrate, the carbonized substrate, the surface, the SiC substrate, the substrate, the surface, the surface, the surface The results show that there is a significant increase in the presence of nuclear acidification and carbonization.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Kenji KOBAYASHI et al.: "Synthesis of diamond on substrate with mechanical treatment by rf plasma..." Plasma Source Science & Technology. 2. 18-22 (1993)
Kenji KOBAYASHI 等人:“通过射频等离子体进行机械处理在基材上合成金刚石......” 等离子体源科学
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Kenji KOBAYASHI et al.: "Diamond nucleation for the pretreatment of substrate" Diamond & Related Materials. 2. 278-284 (1993)
Kenji KOBAYASHI 等人:“用于基材预处理的金刚石成核” 金刚石
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

平栗 健二其他文献

Zn-DLCのZn溶出特性と石灰化促進効果
Zn-DLC的Zn溶出特性及促进矿化作用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    熊谷颯天;馬目佳信;平塚傑工;大越 康晴;平栗 健二
  • 通讯作者:
    平栗 健二
グラファイト状窒化炭素で修飾した水晶振動子の水素ガスセンサ特性
石墨氮化碳改性晶体谐振器氢气传感器特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    石黒 康志;西谷 平;Li Can;平栗 健二
  • 通讯作者:
    平栗 健二
月刊「マテリアルインテグレーション」
每月“材料整合”
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    平栗 健二;大越 康晴
  • 通讯作者:
    大越 康晴
Zn徐放型DLC膜の骨形成促進効果の評価
Zn缓释DLC膜促进骨形成作用评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    馬渕 康史;上遠野惇市;大越 康晴;藤岡 宏樹;佐藤 慶介;平塚 傑工;坪井 仁美;中森 秀樹;益田 秀樹;本田 宏志;馬目 佳信;平栗 健二
  • 通讯作者:
    平栗 健二
簡易処理による低融点金属への高密着性DLC の作製
通过简单的加工制造对低熔点金属具有高附着力的DLC
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中島 大地;桒原 大樹;安中 茂;大越 康晴;平栗 健二
  • 通讯作者:
    平栗 健二

平栗 健二的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('平栗 健二', 18)}}的其他基金

銅導入炭素膜の抗ウイルス・抗菌メカニズムの解明
阐明掺铜碳膜的抗病毒和抗菌机制
  • 批准号:
    24K08062
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Antibacterial and antivirus properties of copper doped carbon film
掺铜碳膜的抗菌抗病毒性能
  • 批准号:
    21K04667
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

相似海外基金

メタンハイドレート移送時の氷核発生に伴う管内閉塞メカニズムの解明
阐明甲烷水合物输送过程中冰核导致的管道堵塞机制
  • 批准号:
    23K26322
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
優先的核発生の制御によるエピシェル型ペロブスカイト量子ドットの創成
通过控制优先成核创建外壳钙钛矿量子点
  • 批准号:
    23K23114
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
結核発生動向調査データを用いた後方視的散発集団発生検知のための試行的研究
利用结核病发病趋势调查数据回顾性检测散发性疫情的试验研究
  • 批准号:
    24K13498
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
メタンハイドレート移送時の氷核発生に伴う管内閉塞メカニズムの解明
阐明甲烷水合物输送过程中冰核导致的管道堵塞机理
  • 批准号:
    23H01628
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
二次元核発生頻度の制御による双晶が無い立方晶の炭化ケイ素成長
通过控制二维成核频率实现无孪晶立方碳化硅生长
  • 批准号:
    23560367
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
磁場中MFMの精密解析によるCo/Ptパターン薄膜の磁化反転核発生の解析
通过磁场中 MFM 的精确分析来分析 Co/Pt 图案化薄膜中的磁化反转成核
  • 批准号:
    20920024
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
フェムト秒レーザー誘起タンパク質結晶核発生の原理解明と高度化
飞秒激光诱导蛋白质晶体成核原理的阐明与进展
  • 批准号:
    08J55381
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
レーザー誘起核発生を用いたフォトクロミック結晶の多形成長制御
利用激光诱导成核控制光致变色晶体的多晶型生长
  • 批准号:
    17034038
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
瞬間的な局所高過飽和度による核発生制御を利用する高機能微粒子生成
使用瞬时局部高过饱和度的成核控制来生成高功能细颗粒
  • 批准号:
    17656250
  • 财政年份:
    2005
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
レーザーを用いた結晶核発生技術による有機・蛋白質結晶の創製
使用基于激光的晶体成核技术创建有机/蛋白质晶体
  • 批准号:
    16656011
  • 财政年份:
    2004
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了