AlGaInP系垂直共振器型面発光・可視光(赤色)半導体レーザの開発

AlGaInP垂直腔面发射可见光(红光)半导体激光器的研制

基本信息

  • 批准号:
    05750318
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

AlGaInP系垂直共振器型面発光・可視光(赤色)半導体レーザの開発を目的とし、ガスソース分子線エピタキシ-法により、種々のAlGaInP結晶の成長を行い、以下の結果を得た。1.面発光レーザを構成する、波長オーダの垂直共振器、及び高反射率の半導体多層反射膜を設計するためには、材料の屈折率を知ることが必要である。そこで、まずはじめに、GaAs基板上に格子整合したGaInP、AIInP、及びGaInP/AIInP擬似4元混晶の屈折率を1500nmからバンド端波長までの広い波長範囲で反射法により測定した。測定結果をMSEO法に、フィッティングしたところ、擬似4元混晶の等価的Al組成比xに対し、振動子エネルギーE_o=4.17-0.49x、及び分散エネルギーE_d=35.79-1.16xを得た。擬似4元混晶と4元混晶の屈折率は等しいことが分かった。2.次にGaInP/AIInP半導体多層反射膜を作製し、その反射率を測定した。ピークの波長、反射率とも設計値に対し十分な結果を得た。3.続いて、GaInP/AIInPファブリーペロ-型歪量子井戸半導体レーザを、ガスソース分子線エピタキシ-法の新たなシャッタ制御技術を用いて作製した。GaInP活性層に圧縮歪みを導入することにより、発振波長を、GaInP/AIInP多層反射膜に対して吸収の無い700nm以上にチューンすることができ、又発振指閾値電流密度175mA/cm^2を得た。この値は世界でもトップレベルであり、圧縮歪みレーザを垂直共振器型面発光レーザに応用した場合に有効である。以上の基礎的な研究を土台として、実際に垂直共振器型面発光レーザを実現することが、今後の課題である。
AlGaInP vertical resonator profile light emitting and visible light (red) semiconductor crystal development goal, good molecular line, seed AlGaInP crystal growth process, the following results were obtained. 1. It is necessary to design vertical resonators with high reflectivity and to know the refractive index of materials. The refractive index of GaInP, AIInP, and GaInP/AIInP quasi-quaternary mixed crystals on GaAs substrates was measured by reflection method at 1500nm. As a result, the Al composition ratio x of MSEO method, quasi-quarternary mixed crystal and quasi-quarternary mixed crystal was obtained, and the vibration ratio E_o=4.17-0.49x and dispersion ratio E_d=35.79-1.16x were obtained. The refractive index of quasi-quaternary mixed crystal is equal to that of quaternary mixed crystal. 2. Next, GaInP/AIInP semiconductor multilayer reflective films were fabricated and their reflectivity was measured. The wavelength, reflectivity and design parameters are very important. 3. The new technology of quantum well fabrication in GaInP/AIInP is introduced. The GaInP active layer has an absorption wavelength of 700nm or more and a threshold current density of 175mA/cm^2 for the excitation finger. This value is applicable to all applications of vertical resonator profile light emission. The basic research of the above is based on the theory and practice of vertical resonator profile light emission.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

金子 和其他文献

金子 和的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('金子 和', 18)}}的其他基金

高純度スペクトル可視光半導体レーザの開発
高纯光谱可见光半导体激光器的研制
  • 批准号:
    04750388
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
半導体レーザにおける多重量子障壁のキャリア閉じ込めエンハンス効果の実証
半导体激光器中多重量子势垒载流子约束增强效应演示
  • 批准号:
    03750331
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
2元超格子型人工結晶による新機能化合物半導体材料の生成及び評価
使用二元超晶格型人造晶体新型功能化合物半导体材料的生成和评估
  • 批准号:
    01750273
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)

相似国自然基金

等离激元结构在提高AlGaInP发光二极管光提取效率中的应用
  • 批准号:
    91233122
  • 批准年份:
    2012
  • 资助金额:
    80.0 万元
  • 项目类别:
    重大研究计划
AlGaInP系III-V族化合物半导体量子阱混杂研究
  • 批准号:
    61106043
  • 批准年份:
    2011
  • 资助金额:
    26.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
低强度650 nm GaInP/AlGaInP半导体激光促进中性粒细胞胞外杀菌网形成的机制研究
  • 批准号:
    60878061
  • 批准年份:
    2008
  • 资助金额:
    36.0 万元
  • 项目类别:
    面上项目
AlGaInP/GaAsHBT和器件高温特性研究
  • 批准号:
    69576035
  • 批准年份:
    1995
  • 资助金额:
    9.5 万元
  • 项目类别:
    面上项目

相似海外基金

InP / AlGaInP Quantum Dot Lasers for 650-780nm Emission
用于 650-780nm 发射的 InP / AlGaInP 量子点激光器
  • 批准号:
    EP/E056989/1
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Research Grant
InP / AlGaInP Quantum Dot Lasers for 650-780nm Emission
用于 650-780nm 发射的 InP / AlGaInP 量子点激光器
  • 批准号:
    EP/E056385/1
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Research Grant
InP / AlGaInP Quantum Dot Lasers for 650-780nm Emission
用于 650-780nm 发射的 InP / AlGaInP 量子点激光器
  • 批准号:
    EP/E05644X/1
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Research Grant
UP-CONVERTED PHOTOLUMINESCENCE IN ORDERED AlGaInP ALLOY SEMICONDUCTOR SESTEMS AND ITS PRESSURE EFFECTS
有序 AlGaInP 合金半导体系统中的上转换光致发光及其压力效应
  • 批准号:
    09640397
  • 财政年份:
    1997
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Vertical external-cavity surface-emitting laser based on a novel GaInP/AlGaInP grating waveguide for efficient high-power operation
基于新型 GaInP/AlGaInP 光栅波导的垂直外腔表面发射激光器,可实现高效高功率运行
  • 批准号:
    444786281
  • 财政年份:
  • 资助金额:
    $ 0.58万
  • 项目类别:
    Research Grants
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了