InP / AlGaInP Quantum Dot Lasers for 650-780nm Emission

用于 650-780nm 发射的 InP / AlGaInP 量子点激光器

基本信息

  • 批准号:
    EP/E056989/1
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 16.94万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    英国
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    英国
  • 起止时间:
    2007 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This project is about the development of a new material with nanoscale features that has properties that go beyond those of existing materials and will enable a number of applications that require light sources with properties that are not currently available. The applications include photodynamic therapy, which is a cancer treatment in which singlet (reactive) oxygen is generated at a specific location by using high power light with a photon energy sufficient to disassociate the oxygen molecule; DVD based optical storage, that requires dual wavelength sources to ensure backwards compatibility in new systems and which is necessary to support the semiconductor wafer manufacturing base within the UK; optical sensing, one form of which requires dual wavelength sources; and fluorescence lifetime studies, that are used, for example, for monitoring biological processes. We aim to demonstrate working devices that utilise this quantum dot material for these specific applications but also to investigate and demonstrate the basic material properties and the basic material and device physics to allow an even broader range of applications in the future. We will employ new strategies to grow material with the particular properties we require, we will characterise this material with a range of advanced experimental techniques, some of which we will develop particularly for this purpose, and will report on the properties of the material and the operation of working devices with new functionality.
该项目是关于开发一种具有纳米级特征的新材料,该材料具有超越现有材料的特性,并将使许多需要具有当前不可用特性的光源的应用成为可能。这些应用包括光动力疗法,其是一种癌症治疗,其中单重态通过使用具有足以使氧分子解离的光子能量的高功率光在特定位置处产生(活性)氧;基于DVD的光学存储,其需要双波长源以确保新系统中的向后兼容性,并且其对于支持英国内的半导体晶片制造基地是必要的;光学感测,其中一种形式需要双波长光源;以及荧光寿命研究,其用于例如监测生物过程。我们的目标是展示将这种量子点材料用于这些特定应用的工作设备,同时也要研究和展示基本材料特性以及基本材料和设备物理学,以便在未来实现更广泛的应用。我们将采用新的策略来生长具有我们所需的特定特性的材料,我们将用一系列先进的实验技术来验证这种材料,其中一些我们将专门为此目的开发,并将报告材料的特性和具有新功能的工作设备的操作。

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Diode-pumped Alexandrite laser with passive SESAM Q-switching and wavelength tunability
  • DOI:
    10.1016/j.optcom.2017.09.047
  • 发表时间:
    2018-03
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.4
  • 作者:
    U. Paralı;Xin Sheng;A. Minassian;Goronwy Tawy;Juna Sathian;G. Thomas;M. Damzen
  • 通讯作者:
    U. Paralı;Xin Sheng;A. Minassian;Goronwy Tawy;Juna Sathian;G. Thomas;M. Damzen
InP/AlGaInP quantum dot semiconductor disk lasers for CW TEM00 emission at 716 - 755 nm.
InP/AlGaInP 量子点半导体盘激光器,用于 716 - 755 nm 的 CW TEM00 发射。
  • DOI:
    10.1364/oe.17.021782
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.8
  • 作者:
    Schlosser PJ
  • 通讯作者:
    Schlosser PJ
Semiconductor disk lasers incorporating InP/GaInP quantum dots for 716-755nm emission
集成 InP/GaInP 量子点的半导体盘激光器,可实现 716-755nm 发射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Andrey Krysa
  • 通讯作者:
    Andrey Krysa
InP/GaInP quantum dot semiconductor disk laser for TEM00 emission at 740nm
用于 740nm TEM00 发射的 InP/GaInP 量子点半导体盘激光器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Andrey Krysa
  • 通讯作者:
    Andrey Krysa
Semiconductor Lasers: Fundamentals and Applications
半导体激光器:基础知识和应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Baranov, Alexei;Tournie, Eric
  • 通讯作者:
    Tournie, Eric
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