InP / AlGaInP Quantum Dot Lasers for 650-780nm Emission

用于 650-780nm 发射的 InP / AlGaInP 量子点激光器

基本信息

  • 批准号:
    EP/E05644X/1
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    英国
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    英国
  • 起止时间:
    2007 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

This project is about the development of a new material with nanoscale features that has properties that go beyond those of existing materials and will enable a number of applications that require light sources with properties that are not currently available. The applications include photodynamic therapy, which is a cancer treatment in which singlet (reactive) oxygen is generated at a specific location by using high power light with a photon energy sufficient to disassociate the oxygen molecule; DVD based optical storage, that requires dual wavelength sources to ensure backwards compatibility in new systems and which is necessary to support the semiconductor wafer manufacturing base within the UK; optical sensing, one form of which requires dual wavelength sources; and fluorescence lifetime studies, that are used, for example, for monitoring biological processes. We aim to demonstrate working devices that utilise this quantum dot material for these specific applications but also to investigate and demonstrate the basic material properties and the basic material and device physics to allow an even broader range of applications in the future. We will employ new strategies to grow material with the particular properties we require, we will characterise this material with a range of advanced experimental techniques, some of which we will develop particularly for this purpose, and will report on the properties of the material and the operation of working devices with new functionality.
这个项目是关于开发一种具有纳米级特征的新材料,这种材料的性能超越了现有材料的性能,并将使许多需要具有当前无法获得的性能的光源的应用成为可能。应用包括光动力疗法,这是一种癌症治疗方法,通过使用高功率光和足以使氧分子分离的光子能量,在特定位置产生单线态(活性)氧;基于DVD的光存储,需要双波长源以确保新系统的向后兼容性,并且必须支持英国的半导体晶圆制造基地;光学传感,其中一种形式需要双波长源;还有荧光寿命研究,比如,用于监测生物过程。我们的目标是展示利用这种量子点材料用于这些特定应用的工作设备,同时也研究和展示基本材料特性以及基本材料和设备物理,以便在未来实现更广泛的应用。我们将采用新的策略来生长具有我们需要的特定性能的材料,我们将用一系列先进的实验技术来表征这种材料,其中一些我们将为此目的专门开发,并将报告材料的特性和具有新功能的工作装置的操作。

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
InP/AlGaInP quantum dot semiconductor disk lasers for CW TEM00 emission at 716 - 755 nm.
InP/AlGaInP 量子点半导体盘激光器,用于 716 - 755 nm 的 CW TEM00 发射。
  • DOI:
    10.1364/oe.17.021782
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.8
  • 作者:
    Schlosser PJ
  • 通讯作者:
    Schlosser PJ
Effect of temperature on threshold current density in InP/AlGaInP quantum dot laser structures
温度对 InP/AlGaInP 量子点激光器结构中阈值电流密度的影响
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  • 作者:
    Naresh Chand;Peter A. Houston
  • 通讯作者:
    Peter A. Houston

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  • 资助金额:
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