金属強磁性体の磁性電子運動量分布の温度変化

金属铁磁体磁电子动量分布的温度变化

• 批准号: 06740306
• 负责人: 田中 良和
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: The Institute of Physical and Chemical Research
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06740306/
• 关键词: 磁気コンプトン散乱; 電子運動量密度分布; フェリ磁性体

アモルファスGdxFel-x(x=0.22,0.33,0.52,0.60)合金の磁性電子運動量分布の測定を行った。この化合物はフェリ磁性を示し、Gdの4f電子の磁気モーメントに対し、Feの3dの磁気モーメントが逆にカップルしている。この物質の電子状態について、磁気コンプトン散乱実験を行い系統的な情報を得ることに成功した。この実験手法では、高エネルギーのX線と電子とのコンプトン散乱を利用することにより、電子の運動量分布を調べることができる。また円偏光X線を用いると電子スピンの向きにより散乱断面積が異なるため、磁性電子のみの情報を得ることができる。この測定物質では、Gdの4f磁性電子、Feの3d磁性電子、およびs,p的な偏極した伝導電子を合わせた運動量密度分布が観測される。ただし、これらの各電子の運動量空間内での分布がかなり異なるため、曲線最適化を行い、それぞれの存在比を知ることができる。この様に磁性電子の存在比を知ることのできる実験手法は、他に例がなく、磁気コンプトン散乱実験の利点を表している。この物質のTcは組成によって大きく変化し500Kから700K近傍にある。また、全磁気モーメントの温度変化も組成によって大きく異なる。今年度は、それぞれの組成において低温(10K)から室温までの温度領域において磁気コンプトン散乱実験を行った。その結果、4f磁性電子、3d磁性電子、およびs,p的な偏極した伝導電子の温度変化が組成によって大きくなる事が明確になった。またこの温度変化は、単純な分子場近似法によって説明され得ることがわかった。今年度は、加熱炉の製作を行った。これを使用し今後高温領域(室温-900K)もカバーする予定である。従ってより広い温度領域の測定が可能となり、今後のこの研究の発展が期待される。

The GdxFel-x (x = 0.22, 0.33, 0.52, and 0.60) alloy magnetic electron momentum distribution test is used to determine the dynamic distribution of magnetic electronics. The chemical compounds show magnetic properties, the Gd 4f electrons, the magnets, the Fe, the 3D magnets, the reverse magnets. Due to the situation of the electronic and magnetic systems, which are scattered and scattered, the operation system has been successful. There is a lot of attention to the use of equipment, etc. The polarizing X-ray device is used to scatter the scattered cross-section of the polarizer, and the magnetic electron is used to obtain the polarizer. To determine the dynamic density distribution of materials, Gd 4f magnetoelectronics, ferrous 3D magnetic electrons, and thermoelectric magnets. The distribution of electrical energy in the dynamic space of each computer is more accurate than that of the electric power station, such as the distribution of power supply space, the distribution of power supply, the distribution of power supply, the distribution of equipment, the distribution of equipment in the dynamic space of each computer. There is a higher level of knowledge in magnetoelectronics than in other devices, such as magnetic devices, magnetic devices, magnetic devices The structure of the Tc is very close to the temperature of 500K and 700K. The temperature is changed by the temperature of the whole magnetic system, and the temperature is made up of the temperature. This year, the temperature is low temperature (10K), the temperature field is high temperature, the magnetic field is high, and the temperature is scattered. The results show that the temperature change components of 4f magnetic electronics, 3D magnetic electrons and modern magnetic computers are very sensitive to the temperature change of these computers. In this paper, the temperature is changed, and the molecular field approximation method is used to determine the temperature. This year, the heating furnace will be used for this year. The temperature range of the future high temperature field (room temperature-900K) is very high. It is possible to measure the temperature field, and the future research exhibition is looking forward to it.