ns^O酸化物半導体の第二近接カチオン間相互作用に関する研究
ns^O氧化物半导体中第二相邻阳离子之间的相互作用研究
基本信息
- 批准号:06750701
- 负责人:
- 金额:$ 0.64万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1994
- 资助国家:日本
- 起止时间:1994 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
1.試料作製ns^O酸化物半導体単結晶試料として、以下の化合物の合成に成功した。SnO_2・・・・気相合成法Ga_2O_3・・・・フローティング・ゾーン法In_2O_3・・・・フラックス法ZnGa_2O_4・・・・フラックス法また、燒結体試料としてCa_2xCd_<2-2X>PbO_4(x=0,0.33,0.5,0.67,1.0)の合成に成功した。2.キャリアの生成上記のサンプルに対して、還元雰囲気中での熱処理等によりn型キャリアを導入を試みた。これまでのところ、ZnGa_2O_4,Ca_2PbO_4以外のサンプルで、キャリアの導入に成功した。しかしながら、キャリア濃度等についてはまだ安定して評価されていない。3.ESR測定SnO_2,Ga_2O_3,CaCdPbO_4で伝導電子が局在したものと考えられるシグナルを観測した。特にCaCdPbO_4では、室温から、液体He温度間でのシグナルの変化の様子を観測した。しかし、高伝導度サンプルでは4.2Kという温度はまだ高く、さらに低温に下げる必要がある。また、単結晶試料で観測されたシグナルはまだ予備的なものであり、今後シグナルの温度変化、角度変化等について、詳細に検討する必要がある。
1. The following compounds were successfully synthesized from crystalline samples of semiconductor compounds prepared from nSO. SnO_2···<2-2X>·2. The heat treatment in the process of production and production of n-type carbon dioxide. In addition, the introduction of ZnGa_2O_4, Ca_2PbO_4 and ZnGa_2O_4 was successful. In addition to the above, the concentration of water is stable. 3. ESR determination of SnO_2, Ga_2O_3, CaCdPbO_4 in the presence of conducting electrons In particular, CaCdPbO_4 was tested at room temperature and liquid He temperature. High conductivity, high temperature, low temperature, low temperature. For example, if the crystal sample is tested, the temperature and angle of the sample will be changed in the future, and the detailed analysis will be necessary.
项目成果
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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
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