ns^O酸化物半導体の第二近接カチオン間相互作用に関する研究

1.試料作製ns^O酸化物半導体単結晶試料として、以下の化合物の合成に成功した。SnO_2・・・・気相合成法Ga_2O_3・・・・フローティング・ゾーン法In_2O_3・・・・フラックス法ZnGa_2O_4・・・・フラックス法また、燒結体試料としてCa_2xCd_<2-2X>PbO_4(x=0,0.33,0.5,0.67,1.0)の合成に成功した。2.キャリアの生成上記のサンプルに対して、還元雰囲気中での熱処理等によりn型キャリアを導入を試みた。これまでのところ、ZnGa_2O_4,Ca_2PbO_4以外のサンプルで、キャリアの導入に成功した。しかしながら、キャリア濃度等についてはまだ安定して評価されていない。3.ESR測定SnO_2,Ga_2O_3,CaCdPbO_4で伝導電子が局在したものと考えられるシグナルを観測した。特にCaCdPbO_4では、室温から、液体He温度間でのシグナルの変化の様子を観測した。しかし、高伝導度サンプルでは4.2Kという温度はまだ高く、さらに低温に下げる必要がある。また、単結晶試料で観測されたシグナルはまだ予備的なものであり、今後シグナルの温度変化、角度変化等について、詳細に検討する必要がある。

1.試料作製ns^O酸化物半導体単結晶試料として、以下の化合物の合成に成功した。SnO_2・・・・気相合成法Ga_2O_3・・・・フローティング・ゾーン法In_2O_3・・・・フラックス法ZnGa_2O_4・・・・フラックス法また、燒結体試料としてCa_2xCd_<2-2X>PbO_4(x=0,0.33,0.5,0.67,1.0)の合成に成功した。2.キャリアの生成上記のサンプルに対して、還元雰囲気中での熱処理等によりn型キャリアを導入を試みた。これまでのところ、ZnGa_2O_4,Ca_2PbO_4以外のサンプルで、キャリアの導入に成功した。しかしながら、キャリア濃度等についてはまだ安定して評価されていない。3.ESR測定SnO_2,Ga_2O_3,CaCdPbO_4で伝導電子が局在したものと考えられるシグナルを観測した。特にCaCdPbO_4では、室温から、液体He温度間でのシグナルの変化の様子を観測した。しかし、高伝導度サンプルでは4.2Kという温度はまだ高く、さらに低温に下げる必要がある。また、単結晶試料で観測されたシグナルはまだ予備的なものであり、今後シグナルの温度変化、角度変化等について、詳細に検討する必要がある。