超精密天秤による原子層エピタキシ-の成長メカニズムの研究

利用超精密天平研究原子层外延生长机理

基本信息

  • 批准号:
    06750856
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.58万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1994
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1994 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

原子層エピタキシ-において自己停止機能のメカニズムを知ることは重要である。これまでに、光学的手段により原料ガス供給段階において形成される表面吸着種について観察されてきたが、この方法で吸着種の同定は困難である。そこで本研究では、超精密天秤により成長段階での重量変化を測定し、形成された表面吸着種の同定を行い、現在問題となっているハロゲン系ALEの自己停止機能を明らかにすることを試みた。GaAsの成長は水素雰囲気下、GaAs(100)基板上にGa原料であるGaCl、As原料であるAsH_3を交互に供給して成長を行うハロゲン系原子層エピタキシ-法によって行われた。この成長過程を、これまでに申請者が開発したALE成長装置に超精密天秤を組み合わせた成長速度のその場測定装置を用いて観察した。測定に先立ち、天秤のアンプをDC増幅からAC増幅に替えS/N比を向上させた。その結果、天秤の感度をGaAs基板の面積当たり0.025μgに向上させた。また、この天秤感度の改良後、GaCl供給後の水素パ-ジ段階での重量変化を測定した結果、その段階での成長表面がGaであることが明らかになった。このようにALE成長中の表面の吸着種が定量的に確認されたのは国内外ともなく、大きな成果といえる。
The atomic layer stops functioning. This method is difficult to determine by optical means, such as surface adsorption, surface adsorption and surface adsorption. In this study, the weight change of the ultra-precision balance in the growth stage was determined, and the surface adsorption species were determined. GaAs growth is characterized by the interaction of GaCl and AsH3 on GaAs(100) substrate and GaAs(100) substrate. The growth process is monitored by an ALE growth device, an ultra-precision balance assembly, and a field measurement device. The measurement of S/N ratio is based on DC amplitude and AC amplitude. As a result, the sensitivity of the scale GaAs substrate area is 0.025μg. After the improvement of the sensitivity of the balance, the weight change of the water element after the GaCl supply, the growth surface of the stage, and the growth surface of the stage are measured. The adsorption species on the surface of ALE growth are quantitatively confirmed.

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
N.Takahashi: "Arsenic Desoption from GaAs(001)in GaAs Atomic Layer Epitaxy Studied by In Situ Gravimetric Method." Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics. 13. 195-196 (1994)
N.Takahashi:“通过原位重量法研究 GaAs 原子层外延中 GaAs(001) 中砷的解离。”
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    0
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