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表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製

用于表面超结构控制原子层外延的自由基的制备

基本信息

批准号：
06228219
负责人：
松波弘之
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、メゾスコピック構造を形成するために、半導体表面超構造の制御に有用な役割を果たすフリーラジカルの作製法を確立し、結晶成長過程を原子レベルで制御することを目指した。具体的には、立方晶シリコンカーバイドの結晶成長に着目し、1]フリーラジカル作製とその制御、2]表面超構造変化の動的解析、3]成長素過程の解明、の各研究課題を遂行した。本年度の成果は次の通りである。1.ガスソース分子線成長装置において、原料ガスを熱分解することによりフリーラジカルを生成した。しきい値イオン化質量分析法で定量的に解析すると同時に、その量を広い範囲で制御できることを明らかにした。2.Si表面の極薄SiC層形成過程(炭化過程)において、その膜厚とラジカル量が比例関係にあることを示した。表面状態は、ラジカル量、形成時間に依存することを明らかにし、平坦な表面が得られる条件を確立した。3.得られた鏡面SiC層上への単結晶SiCのヘテロエピタキシャル成長において、原料流量の最適化により原子層レベルで平坦な成長層が得られた。成長中の表面超構造と結晶成長過程との関連について検討し、二次元成長が支配的であることを明らかにするとともに、原子層レベルでの成長制御の可能性を示した。以上の成果により所期の目的は達成できた。得られた成長層の結晶性の詳細な評価や、異なったラジカル種の適用が、今後、必要であると考えられる。

The results of this research are useful in the formation of microstructural structures and the control of semiconductor surface superstructures. The manufacturing method of たすフリーラジカルの is established, and the crystal growth process is atomic レベルでcontrol することを Eye fingering. Specific には, Cubic Crystal シリコンカーバイドの Crystal Growth に目し, 1] フリーラジカル Production とそControl, 2] Analysis of the movement of surface superstructure changes, 3] Explanation of the auxin process, and implementation of various research topics. This year's results are as follows. 1. ガスソース molecular wire growth device において, raw material ガスを thermal decomposition することによりフリーラジカルを generation した.しきいイオンchemical mass analysis method is a quantitative にanalytic するとsimultaneous に, and the そのquantitative を広いfan囲でcontrol できることを明らかにした. 2. The formation process of the extremely thin SiC layer on the Si surface (carbonization process) is determined by the proportional relationship between the film thickness and the amount of the SiC layer. The surface state, the amount of surface, and the formation time depend on the conditions of the surface and the flat surface. 3. Obtain the growth of SiC crystal SiC on the mirror SiC layerにおいて、Optimization of raw material flow rate によりatomic layer レベルでflattening layer がgetられた. The growing surface superstructure and the crystallization growth process are related to each other and controlled by the two-dimensional growth.であることを明らかにするとともに、Atomic layer レベルでのThe possibility of growth control をshows した. The above results have achieved the desired goals. The detailed evaluation of the crystallinity of the growth layer and the application of different materials will be necessary in the future.