表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
批准号:
07217212
负责人:
松波 弘之
金额:
$1.02万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --
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英文摘要
本研究では、メゾスコピック構造を形成するために、半導体表面超構造の制御に有用な役割を果たすフリーラジカルの作製法の確立と、その役割を明確にするための化学種の同定や表面化学反応の解明を行い、結晶成長過程を原子レベルで制御することを目指した。広禁制帯幅半導体として期待されている立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)の結晶成長に着目し、1]有用なフリーラジカル作製とその制御、2]表面超構造変化の動的解析、3]成長素過程の解明、の各研究課題を中心に研究を遂行した。ガスソース分子線成長装置において、生成されたメチルラジカル(CH_3)をしきい値イオン化質量分析法で定量的に解析し、その量を10^9〜1011cm^<-3>の範囲で制御できることを明らかにした。Si表面の極薄SiC層形成過程(炭化過程)における表面超構造の推移を高速反射電子線回折法を用いてその場観察し表面反応の素過程を明らかにした。得られた鏡面SiC層上への単結晶SiCのヘテロエピタキシャル成長において、原料流量の最適化により、原子層レベルで平坦な成長層が得られた。成長中の表面超構造と結晶成長過程との関連について検討し、二次元成長が支配的であることを明らかにするとともに、原子層レベルでの成長制御の可能性を示した。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
H. Matsunami: "Quantitative Analysis for CH3 Radicals in Low-Temperature Growth of 3C-SiC on Si(001) Clean Surface" Japanese Journal of Applied Physics. 34. L1117-L1120 (1995)
H. Matsunami:“在 Si(001) 清洁表面上低温生长 3C-SiC 时 CH3 自由基的定量分析”日本应用物理学杂志。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
H. Matsunami: "Low-temperature heteroepitaxial growth of cubic SiC on Si using hydrocarbon radicals by gas source molecular beam epitaxy" Journal of Crystal Growth. 150. 934-938 (1995)
H. Matsunami:“通过气源分子束外延使用烃基在 Si 上低温异质外延生长立方 SiC”《晶体生长杂志》。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
高効率パワーデバイス用シリコンカーバイドの高品位結晶成長と物性制御
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批准号:09044156
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项目类别:Grant-in-Aid for international Scientific Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1997
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
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批准号:06228219
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
表面超構造制御原子層エピタキシーのためのフリーラジカルの作製
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批准号:05237220
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1993
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
反応過程の制御
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批准号:04223105
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$19.97万
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财政年份:1992
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
反応過程の制御
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批准号:03239106
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$23.68万
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财政年份:1991
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
反応過程の制御
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批准号:02253106
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$33.73万
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财政年份:1990
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造超薄型高効率太陽電池の開発
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批准号:01603522
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.11万
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财政年份:1989
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
キャリア閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池の最適化
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批准号:63603528
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1988
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
キャリヤ閉じ込め効果を用いた新構造高効率太陽電池
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批准号:62603529
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.98万
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财政年份:1987
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
紫外域レーザ光を用いた低温における極薄層の形成
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批准号:58209030
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1983
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
気相エピタキシャル法を用いた高効率SiC青色発光ダイオードの開発
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批准号:57850094
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$2.43万
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财政年份:1982
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
広禁制帯幅半導体材料のヘテロ・エピタキシャル成長と価電子制御
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批准号:57460053
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.44万
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财政年份:1982
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
IBS法によるa-Si_1-xCx:F:Hの製作とその光電変換への応用
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批准号:56211033
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1981
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
InPのプラズマ酸化膜形成と界面の電子的性質の研究
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批准号:56550014
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1981
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
MOS構造新発光方式を用いた高効率SiC可視発光素子開発のための基礎研究
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批准号:X00090----455126
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.6万
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财政年份:1979
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
Si C青色発光ダイオードの高効率化のための深い中心と等電子的トラップの研究
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批准号:X00090----255119
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1977
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
ガラス半導体における光メモリー効果の基礎的研究
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批准号:X00210----775145
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.15万
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财政年份:1972
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负责人:松波 弘之
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依托单位:
海外基金