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紫外線発光ダイオード励起型フルカラー蛍光ディスプレイの開発に関する基礎的研究

紫外发光二极管激发全彩荧光显示器研制的基础研究

基本信息

批准号：
07855038
负责人：
佐藤祐一
金额：
$ 0.58万
依托单位：
Akita University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

研究代表者は、二次元の紫外線発光ダイオードアレイと三原色の各蛍光体の組み合わせによる新規な薄型フルカラーディスプレイの開発に係わる萌芽的研究として、各蛍光体膜の選定・試作およびそれらの特性評価、ならびに紫外線発光ダイオードアレイを形成するための窒化ガリウム(GaN)薄膜の成長条件の検討をそれぞれ行った。三原色の各蛍光体を選定するため、発光スペクトル、励起スペクトル、発光強度および残光特性等の評価を行い、ZnCdS:Ag,Y202S:Eu,ZnS:Cu,Au,Al,およびZnS:Agがそれぞれ近紫外線励起による三原色発光に適した特性を有することを確認した。これらの蛍光体粉末をポリビニールアルコール水溶液に分散し、ガラス基板上にスピンコート法で塗布することにより、比較的均質な蛍光体膜を得ることができた。また、それらの膜の蛍光特性は粉末の場合と変わらないことを確認し、本方式によるディスプレイデバイスに使用可能であることを結論した。一方、GaN薄膜の成長は放電により励起された活性窒素およびクヌードセン・セルからのガリウムをそれぞれ供給・反応させる方法により試みた。なお、設備備品として放射温度計を購入し、非接触で精度良く成長温度を測定することができた。今回は高周波放電を利用して膜の成長を行ったが、高抵抗で移動度の小さなGaN薄膜のみ得られることが判明した。その要因としてはプラズマ中に存在するイオンの影響が考えられるため、よりイオンの少ないプラズマ源を使用してGaN薄膜の成長を行う必要があり、この点については今後の課題としたい。

The research representatives studied the germination of the new thin film growth system for the combination of the two dimensional UV emitter and the three primary colors, and evaluated the characteristics of the selected and tested films of the various phosphors, and studied the growth conditions of the GaN thin film for the formation of the UV emitter. Selection of each phosphor of the three primary colors, evaluation of emission characteristics, excitation characteristics, emission intensity and residual light characteristics, etc., ZnCdS:Ag, Y202S:Eu,ZnS:Cu,Au,Al, ZnS:Ag, etc., and confirmation of appropriate emission characteristics of the three primary colors due to near ultraviolet excitation. The coating method of the phosphor powder on the substrate can be used to obtain a homogeneous phosphor film. The optical properties of the film are confirmed in the case of powder, and the method is possible to use. The growth of GaN thin films is mainly due to the excitation of active elements and the supply of reactive materials. Equipment and equipment are purchased, and non-contact temperature measurement is performed with good accuracy. The growth of GaN thin films with high resistance and high mobility is now recognized. The main reason for this is that there is a lack of influence on the growth of GaN thin films.